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Electron-electron drag in crystals with a multi-valley band. Magnetoresistivity and Hall-effect

Hall-effect and magnetoresistivity of electrons in multi-valley bands of Si and Ge is considered with due regard for direct intervalley drag. Search of contribution of this drag shows that this interactioin sufficiently changes both effects. Calculated here values substant...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2009
1. Verfasser:	Boiko, I.I.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118834
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Electron-electron drag in crystals with a multi-valley band. Magnetoresistivity and Hall-effect / I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 349-356. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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