Two-dimensional modeling the static parameters for a submicron field-effect transistor
A comparison of two different models for simulation of submicron GaAs MESFETs static characteristics has been made. A new two-dimensional numerical model is presented to investigate the submicron field-effect transistor characteristics, the influence of the geometry of the component, like the int...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118847 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Two-dimensional modeling the static parameters for a submicron field-effect transistor / M. Zaabat, M. Draid // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 417-420. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |