Buchumschlag

Two-dimensional modeling the static parameters for a submicron field-effect transistor

A comparison of two different models for simulation of submicron GaAs
 MESFETs static characteristics has been made. A new two-dimensional numerical model
 is presented to investigate the submicron field-effect transistor characteristics, the
 influence of the geometry of the...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:2009
Hauptverfasser: Zaabat, M., Draid, M.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118847
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Two-dimensional modeling the static parameters
 for a submicron field-effect transistor / M. Zaabat, M. Draid // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 417-420. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge