Особенности переменной магнитной восприимчивости тонких сверхпроводящих пленок с большим критическим током
Впервые исследованы особенности переменной (ac) магнитной восприимчивости, возникающие в тонких сверхпроводящих пленках с большим критическим током. Такие особенности обнаружены в некоторых пленках YBa₂Cu₃O₇–δ на магнитополевых и температурных зависимостях ac восприимчивости в виде Z-образной ступен...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118918 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности переменной магнитной восприимчивости тонких сверхпроводящих пленок с большим критическим током / М.П. Черноморец, Д.Г. Ковальчук // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 12. — С. 1298–1309. — Бібліогр.: 38 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Впервые исследованы особенности переменной (ac) магнитной восприимчивости, возникающие в тонких сверхпроводящих пленках с большим критическим током. Такие особенности обнаружены в некоторых пленках YBa₂Cu₃O₇–δ на магнитополевых и температурных зависимостях ac восприимчивости в виде Z-образной ступеньки для действительной компоненты, χm(H) или χ'm(T), и V-образной впадины для мнимой компоненты, χ''m(H) или χ''m(T), где индекс m означает измерения в максимуме полярной диаграммы χ''(χ') («максимуме потерь»). Не в максимуме потерь эффект также наблюдается, а его величина зависит от глубины входа-выхода вихрей. Высказано предположение, что эффект обусловлен зависимостями критического тока и крипа потока от магнитного поля. Проведены приближенные вычисления магнитной восприимчивости тонкого диска с помощью модифицированных формул Клема–Санчеса, в которые введена зависимость критической плотности тока от приложенного магнитного поля, jc(H). Расчеты на основании реальной зависимости jc(H) в исследованных пленках и при простейшем учете крипа потока позволили получить зависимости χ'm(H) и χ''m(H), качественно подобные экспериментальным, в том числе с Z- и V-особенностями при большом критическом токе. Показано, что в таких образцах нарушаются соотношения модели Клема–Санчеса между критической плотностью тока, с одной стороны, и компонентами ас магнитной восприимчивости, а также амплитудой ас поля в максимуме потерь, с другой. |
|---|