Mapping between two models of etching process

• Опубліковано в: : Condensed Matter Physics
• Дата: 2007
• Автори: Patsahan, T., Taleb, A., Stafiej, J., Badiali, J.-P.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2007
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118950
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Mapping between two models of etching process / T. Patsahan, A. Taleb, J. Stafiej, J.-P. Badiali // Condensed Matter Physics. — 2007. — Т. 10, № 4(52). — С. 579-585. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

We consider two models for the etching processes using numerical simulations based on cellular-automata discrete-lattice approach. In one model we use a uniform etching probability for each surface site. In another model the etching probability at a given site depends on the local environment of t...