Mapping between two models of etching process

We consider two models for the etching processes using numerical simulations based on cellular-automata
 discrete-lattice approach. In one model we use a uniform etching probability for each surface site. In another
 model the etching probability at a given site depends on the local...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Condensed Matter Physics
Date:2007
Main Authors: Patsahan, T., Taleb, A., Stafiej, J., Badiali, J.-P.
Format: Article
Language:English
Published: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2007
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118950
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Mapping between two models of etching process / T. Patsahan, A. Taleb, J. Stafiej, J.-P. Badiali // Condensed Matter Physics. — 2007. — Т. 10, № 4(52). — С. 579-585. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:We consider two models for the etching processes using numerical simulations based on cellular-automata
 discrete-lattice approach. In one model we use a uniform etching probability for each surface site. In another
 model the etching probability at a given site depends on the local environment of this site. In contrast to the
 first model we have now a non-local description of the surface evolution. It is natural to consider the following
 question: is this non-locality sufficient to induce new physics? To answer this question is the main goal of
 the paper. We show that there exists an equivalence between the two models. This means that the non-local
 model gives results similar to the local one provided we use an effective value of the etching probability. Використовуючи комп’ютерне моделювання на основi комiркового автомату, дослiджено двi гратковi моделi, якi описують процеси витравлювання. В однiй моделi використано однакову iмовiрнiсть витравлювання для всiх поверхневих вузлiв. В iншiй моделi iмовiрнiсть витравлювання вузла залежить вiд оточення даного вузла. Таким чином, на противагу першiй моделi, в другiй моделi присутнiй нелокальний опис розвитку поверхнi. Тому природно розглянути наступне питання: чи ця нелокальнiсть є достатньою, щоб спричинити якiсно новi результати? Вiдповiдь на дане запитання є основною метою цiєї роботи. Показано, що iснує еквiвалентнiсть мiж двома розглянутими моделями. Це значить, що нелокальна модель приводить до якiсно подiбних результатiв, що i локальна модель, яка описується певною ефективною iмовiрнiстю витравлювання.
ISSN:1607-324X