Mapping between two models of etching process
We consider two models for the etching processes using numerical simulations based on cellular-automata
 discrete-lattice approach. In one model we use a uniform etching probability for each surface site. In another
 model the etching probability at a given site depends on the local...
Saved in:
| Published in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2007
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118950 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Mapping between two models of etching process / T. Patsahan, A. Taleb, J. Stafiej, J.-P. Badiali // Condensed Matter Physics. — 2007. — Т. 10, № 4(52). — С. 579-585. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862743394934063104 |
|---|---|
| author | Patsahan, T. Taleb, A. Stafiej, J. Badiali, J.-P. |
| author_facet | Patsahan, T. Taleb, A. Stafiej, J. Badiali, J.-P. |
| citation_txt | Mapping between two models of etching process / T. Patsahan, A. Taleb, J. Stafiej, J.-P. Badiali // Condensed Matter Physics. — 2007. — Т. 10, № 4(52). — С. 579-585. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | We consider two models for the etching processes using numerical simulations based on cellular-automata
discrete-lattice approach. In one model we use a uniform etching probability for each surface site. In another
model the etching probability at a given site depends on the local environment of this site. In contrast to the
first model we have now a non-local description of the surface evolution. It is natural to consider the following
question: is this non-locality sufficient to induce new physics? To answer this question is the main goal of
the paper. We show that there exists an equivalence between the two models. This means that the non-local
model gives results similar to the local one provided we use an effective value of the etching probability.
Використовуючи комп’ютерне моделювання на основi комiркового автомату, дослiджено двi гратковi моделi, якi описують процеси витравлювання. В однiй моделi використано однакову iмовiрнiсть витравлювання для всiх поверхневих вузлiв. В iншiй моделi iмовiрнiсть витравлювання вузла залежить вiд оточення даного вузла. Таким чином, на противагу першiй моделi, в другiй моделi присутнiй нелокальний опис розвитку поверхнi. Тому природно розглянути наступне питання: чи ця нелокальнiсть є достатньою, щоб спричинити якiсно новi результати? Вiдповiдь на дане запитання є основною метою цiєї роботи. Показано, що iснує еквiвалентнiсть мiж двома розглянутими моделями. Це значить, що нелокальна модель приводить до якiсно подiбних результатiв, що i локальна модель, яка описується певною ефективною iмовiрнiстю витравлювання.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:29:59Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118950 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T20:29:59Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Patsahan, T. Taleb, A. Stafiej, J. Badiali, J.-P. 2017-06-01T15:28:37Z 2017-06-01T15:28:37Z 2007 Mapping between two models of etching process / T. Patsahan, A. Taleb, J. Stafiej, J.-P. Badiali // Condensed Matter Physics. — 2007. — Т. 10, № 4(52). — С. 579-585. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1607-324X PACS: 81.65.Cf, 05.40.-a, 68.35.Ct DOI:10.5488/CMP.10.4.579 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118950 We consider two models for the etching processes using numerical simulations based on cellular-automata
 discrete-lattice approach. In one model we use a uniform etching probability for each surface site. In another
 model the etching probability at a given site depends on the local environment of this site. In contrast to the
 first model we have now a non-local description of the surface evolution. It is natural to consider the following
 question: is this non-locality sufficient to induce new physics? To answer this question is the main goal of
 the paper. We show that there exists an equivalence between the two models. This means that the non-local
 model gives results similar to the local one provided we use an effective value of the etching probability. Використовуючи комп’ютерне моделювання на основi комiркового автомату, дослiджено двi гратковi моделi, якi описують процеси витравлювання. В однiй моделi використано однакову iмовiрнiсть витравлювання для всiх поверхневих вузлiв. В iншiй моделi iмовiрнiсть витравлювання вузла залежить вiд оточення даного вузла. Таким чином, на противагу першiй моделi, в другiй моделi присутнiй нелокальний опис розвитку поверхнi. Тому природно розглянути наступне питання: чи ця нелокальнiсть є достатньою, щоб спричинити якiсно новi результати? Вiдповiдь на дане запитання є основною метою цiєї роботи. Показано, що iснує еквiвалентнiсть мiж двома розглянутими моделями. Це значить, що нелокальна модель приводить до якiсно подiбних результатiв, що i локальна модель, яка описується певною ефективною iмовiрнiстю витравлювання. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Mapping between two models of etching process Спiвставлення двох моделей процесу витравлювання Article published earlier |
| spellingShingle | Mapping between two models of etching process Patsahan, T. Taleb, A. Stafiej, J. Badiali, J.-P. |
| title | Mapping between two models of etching process |
| title_alt | Спiвставлення двох моделей процесу витравлювання |
| title_full | Mapping between two models of etching process |
| title_fullStr | Mapping between two models of etching process |
| title_full_unstemmed | Mapping between two models of etching process |
| title_short | Mapping between two models of etching process |
| title_sort | mapping between two models of etching process |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118950 |
| work_keys_str_mv | AT patsahant mappingbetweentwomodelsofetchingprocess AT taleba mappingbetweentwomodelsofetchingprocess AT stafiejj mappingbetweentwomodelsofetchingprocess AT badialijp mappingbetweentwomodelsofetchingprocess AT patsahant spivstavlennâdvohmodeleiprocesuvitravlûvannâ AT taleba spivstavlennâdvohmodeleiprocesuvitravlûvannâ AT stafiejj spivstavlennâdvohmodeleiprocesuvitravlûvannâ AT badialijp spivstavlennâdvohmodeleiprocesuvitravlûvannâ |