Influence of absorption level on mechanisms of Braggdiffracted x-ray beam formation in real silicon crystals
The methods of numerical calculations based on the formulae of the X-ray dynamic scattering theory by real crystals and of the Takagi-Topin equations were used for investigation of the basic regularities of inherent to the Bragg diffraction in conditions of a strong and weak absorption. The mechanis...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автори: | Klad'ko, V. P., Grigoriev, D.O., Datsenko, L.I., Machulin, V.F., Prokopenko, I.V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119062 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of absorption level on mechanisms of Braggdiffracted x-ray beam formation in real silicon crystals / V.P. Klad'ko, D.O. Grigoriev, L.I. Datsenko, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 157-162. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)
Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002)
Divergent-beam X-ray structural studies of a disturbed surface layer in silicon plates
за авторством: Tkach, V.N.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Tkach, V.N.
Опубліковано: (2002)
Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering
за авторством: Kharchenko, V.O., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kharchenko, V.O., та інші
Опубліковано: (2011)
Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
The research of X-ray and gamma radiation absorption by layered structures
за авторством: Deiev, O.S., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Deiev, O.S., та інші
Опубліковано: (2016)
Modeling of the signal propagation in real systems with finite interval and absorption
за авторством: Ju. G. Krivonos, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ju. G. Krivonos, та інші
Опубліковано: (2016)
X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates
за авторством: Safriuk, N.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Safriuk, N.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron beam purification of crystalline silicon
за авторством: V. A. Berezos
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Berezos
Опубліковано: (2013)
Double- and triple-crystal X-ray diffractometry of microdefects in silicon
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2010)
Location of heavy elements by monochromatic X-ray beam
за авторством: Shchagin, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Shchagin, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Double- and triple-crystal X-ray diffractometry of microdefects in silicon
за авторством: V. B. Molodkin, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. B. Molodkin, та інші
Опубліковано: (2010)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)
Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (1999)
Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon
за авторством: Dotsenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Dotsenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2003)
Research on mechanical stress relaxation in real crystals by X-ray diffraction moire method
за авторством: V. P. Shafraniuk
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. P. Shafraniuk
Опубліковано: (2016)
Quasimonochromatic beam of parametric X-ray radiation for control of heavy elements
за авторством: Shchagin, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Shchagin, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Simulation of the real economy of the region
за авторством: V. P. Vyshnevskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. P. Vyshnevskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
The theory of the line profile based on the absorption of X-ray diffraction and its experimental demonstration
за авторством: Liu Kejia, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Liu Kejia, та інші
Опубліковано: (2016)
Coarse rays
за авторством: Kuchaiev, O., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kuchaiev, O., та інші
Опубліковано: (2008)
Refining of silicon using the method of electron beam melting
за авторством: V. A. Berezos, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: V. A. Berezos, та інші
Опубліковано: (2009)
X-ray absorption near edge spectroscopy of thermochromic phase transition in CuMoO₄
за авторством: Jonane, I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Jonane, I., та інші
Опубліковано: (2018)
X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
за авторством: N. V. Safriuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. V. Safriuk, та інші
Опубліковано: (2013)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon
за авторством: Gutsulyak, B.I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Gutsulyak, B.I., та інші
Опубліковано: (2005)
X-ray absorption near edge spectroscopy of thermochromic phase transition in CuMoO4
за авторством: I. Jonane, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. Jonane, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Near resonant optical absorption by a system coupled with two laser beams
за авторством: A. S. Sizhuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. S. Sizhuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Near resonant optical absorption by a system coupled with two laser beams
за авторством: A. S. Sizhuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. S. Sizhuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Formation and monitoring of secondary X-ray radiation under product processing with electron beam
за авторством: Pomatsalyuk, R.I., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Pomatsalyuk, R.I., та інші
Опубліковано: (2021)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Пам’яті Михайла Павловича Лисиці (15.01.1921−10.01.2012)
за авторством: Machulin, V.F.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Machulin, V.F.
Опубліковано: (2012)
Пам’яті Євгена Андрійовича Салькова
за авторством: Machulin, V.F.
Опубліковано: (2022)
за авторством: Machulin, V.F.
Опубліковано: (2022)
V-та Українська наукова конференція з фізики напівпровідників
за авторством: Machulin, V.F.
Опубліковано: (2022)
за авторством: Machulin, V.F.
Опубліковано: (2022)
Producing by electron beam melting the ingots of iron alloyed with silicon carbide
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2020)
Spectrometric registration of x-ray and gamma radiation by detecting modules “silicon planar detector - scintillator”
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2022)
Studies of run-away electron beams and hard x-ray emission in ISTTOK tokamak
за авторством: Jakubowski, L., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Jakubowski, L., та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of X-ray suppression system upon parameters of electrostatic accelerator ion beam
за авторством: I. G. Ignatev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. G. Ignatev, та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001) -
Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002) -
Divergent-beam X-ray structural studies of a disturbed surface layer in silicon plates
за авторством: Tkach, V.N.
Опубліковано: (2002) -
Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering
за авторством: Kharchenko, V.O., та інші
Опубліковано: (2011) -
Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)