Bolometric characteristics of macroporous silicon structures

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2001
• Автори: Karachevtseva, L.A., Lytvynenko, O.A., Malovichko, E.A., Sobolev, V.D., Stronska, O.J.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119270
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Bolometric characteristics of macroporous silicon structures / L.A. Karachevtseva, O.A. Lytvynenko, E.A. Malovichko, V.D. Sobolev, O.J. Stronska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 177-181. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Bolometric characteristics of macroporous silicon were investigated. Ohmic structures of the type «In/n-Si» and «In/macroporous n-Si» were formed by thermal evaporation of indium in an atmosphere of hydrogen. Temperature dependencies of electron conductivity, concentration and mobility in macroporou...