Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
The processes of gettering the recombination-active impurities in multicrystalline silicon were investigated using methods of mass spectrometry of neutral atoms with the depth profile analysis and spectroscopy of a surface photovoltage (permitting to determine the diffusion length of non-equilibrium...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | Evtukh, A.A., Litovchenko, V.G., Oberemok, A.S., Popov, V.G., Rassamakin, Yu.V., Romanyuk, B.N., Volkov, S.G. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119322 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon / A.A. Evtukh, V.G. Litovchenko, A.S. Oberemok, V.G. Popov, Yu. V. Rassamakin, B.N. Romanyuk, S.G. Volkov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 4. — С. 278-282. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Solar cells based on multicrystalline silicon
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2000)
Characterization of «solar» multicrystalline silicon by local measurements
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2001)
Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2001)
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)
Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
за авторством: I. M. Vikulin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. M. Vikulin, та інші
Опубліковано: (2018)
Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
за авторством: V. A. Pilipenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Pilipenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of Zr-Fe getter filter on Cd and Zn deep refining of interstitial impurities
за авторством: Kondrik, A.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kondrik, A.I., та інші
Опубліковано: (2014)
High efficient solar cells and modules based on diamond-like carbon film - multicrystalline Si structures
за авторством: Klyui, N.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Klyui, N.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Refining of Cd and Zn from interstitial impurities using distillation with a ZrFe getter filter
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2013)
Field emission of electrons from laser produced silicon tip arrays
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)
Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)
Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Block of an electron gun combined with a getter - ion pump designed for high - power beam - plasma microwave devices
за авторством: Antonov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Antonov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)
The influence of H₂S and H₂ adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers
за авторством: Solntsev, V.S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Solntsev, V.S., та інші
Опубліковано: (2008)
On features of deoxidization of CsI melt with zirconium getter
за авторством: Datsko, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Datsko, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2016)
Impurity induced broadening of Drude peak in strained graphene
за авторством: Shubnyi, V.O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Shubnyi, V.O., та інші
Опубліковано: (2018)
Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers
за авторством: O. S. Oberemok, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. S. Oberemok, та інші
Опубліковано: (2011)
The enhanced catalytic dissociation of adsorbed hydrogen containing molecules
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Electron-hole Fermi liquid in nanosized semiconductor structures
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2010)
Zn and Mn impurity effect on electron and luminescent properties of porous silicon
за авторством: Primachenko, V.E, та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Primachenko, V.E, та інші
Опубліковано: (2005)
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: Litvinenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Litvinenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Analyzing silicon for the content of oxygen, nitrogen and hydrogen impurities
за авторством: R. V. Kozin, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: R. V. Kozin, та інші
Опубліковано: (2024)
Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon
за авторством: S. G. Egorov, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: S. G. Egorov, та інші
Опубліковано: (2009)
The effect of O₂ impurities on the low-temperature radial thermal expansion of bundles of closed single-walled carbon nanotubes
за авторством: Dolbin, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dolbin, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Heat transfer in solid parahydrogen with heavy impurities (neon, argon)
за авторством: Manzhelii, V.G., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: Manzhelii, V.G., та інші
Опубліковано: (1996)
Improving parameters of planar pulse diode using gettering
за авторством: V. M. Lytvynenko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. M. Lytvynenko, та інші
Опубліковано: (2021)
Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)
Models of the adsorbtion-catalytic centers on transition metals
за авторством: Litovchenko, V.G.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Litovchenko, V.G.
Опубліковано: (1998)
Analysis of the fundamental characteristics of diamond-like crystals and low-dimensional structures
за авторством: Litovchenko, V.G.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Litovchenko, V.G.
Опубліковано: (2004)
Influence of an orthodeuterium impurity on the thermal conductivity of solid parahydrogen
за авторством: Korolyuk, O.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Korolyuk, O.A., та інші
Опубліковано: (1999)
Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2015)
Influence of plasma treatment on erosion haracteristics and structure of reversible hydrogen getters
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2000)
Схожі ресурси
-
Solar cells based on multicrystalline silicon
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2000) -
Characterization of «solar» multicrystalline silicon by local measurements
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2001) -
Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2001) -
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)