X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals

• Veröffentlicht in: Condensed Matter Physics
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Grigas, J., Talik, E., Lazauskas, V., Vysochanskii, Yu.M., Yevych, R., Adamiec, M., Nelkinas, V.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2008
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119343
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals / J. Grigas, E. Talik, V. Lazauskas, Yu.M. Vysochanskii, R. Yevych, M. Adamiec, V. Nelkinas // Condensed Matter Physics. — 2008. — Т. 11, № 3(55). — С. 473-482. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

The paper presents the X-ray photoelectron spectra (XPS) of the valence band (VB) and of the core levels (CL) of uniaxial ferroelectric Sn₂P₂S₆ single crystals from different crystallographic planes in both paraelectric and ferroelectric phases. The XPS were measured with monochromatized Al Kα radiation in the energy range 0 1400 eV. The VB consists of five bands with the maxima between 3.3 eV and 14.5 eV below the Fermi level. Experimental energies of the VB and core levels are compared with the results of theoretical ab initio calculations of the molecular model of the Sn₂P₂S₆ crystal. The electronic structure of the VB is revealed. Ferroelectric phase transition changes the atom's charge and strength of the bonds, electronic structure of VB, width of CL lines and chemical shifts for the Sn, P and S states which are crystallographic plane-dependent. У статтi представлено рентгенiвськi фотоелектроннi спектри (РФЕС) валентної зони (ВЗ) та остов них рiвнiв (ОР) одновiсних сегнетоелектричних кристалiв Sn₂P₂S₆, отриманi з рiзних кристалографiчних площин i в параелектричнiй, i в сегнетоелектричнiй фазах. РФЕС вимiряно з використанням монохроматизованого Al Kα випромiнювання в енергетичному дiапазонi 0–1400 еВ. ВЗ мiстить п’ять пiдзон з максимумом мiж 3.3 еВ i 14.5 еВ нижче рiвня Фермi. Експериментальнi значення енергiй рiвнiв ВЗ та ОР порiвняно з результатами теоретичних розрахункiв з перших принципiв для молекулярної моделi кристалу Sn₂P₂S₆. Визначено електронну структуру ВЗ. Перехiд у сегнетоелектричну фазу змiнює атомнi заряди та мiцнiсть зв’язкiв, електронну структуру ВЗ, ширину лiнiй ОР та хiмiчнi зсуви для станiв Sn, P i S, що є залежними вiд кристалографiчних площин.