X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals

The paper presents the X-ray photoelectron spectra (XPS) of the valence band (VB) and of the core levels (CL) of uniaxial ferroelectric Sn₂P₂S₆ single crystals from different crystallographic planes in both paraelectric and ferroelectric phases. The XPS were measured with monochromatized Al Kα rad...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Condensed Matter Physics
Datum:2008
Hauptverfasser: Grigas, J., Talik, E., Lazauskas, V., Vysochanskii, Yu.M., Yevych, R., Adamiec, M., Nelkinas, V.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2008
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119343
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals / J. Grigas, E. Talik, V. Lazauskas, Yu.M. Vysochanskii, R. Yevych, M. Adamiec, V. Nelkinas // Condensed Matter Physics. — 2008. — Т. 11, № 3(55). — С. 473-482. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119343
record_format dspace
spelling Grigas, J.
Talik, E.
Lazauskas, V.
Vysochanskii, Yu.M.
Yevych, R.
Adamiec, M.
Nelkinas, V.
2017-06-06T13:47:28Z
2017-06-06T13:47:28Z
2008
X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals / J. Grigas, E. Talik, V. Lazauskas, Yu.M. Vysochanskii, R. Yevych, M. Adamiec, V. Nelkinas // Condensed Matter Physics. — 2008. — Т. 11, № 3(55). — С. 473-482. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
1607-324X
PACS: 71.20.-b, 77.84.-s, 78.70.En, 79.60.-i
DOI:10.5488/CMP.11.3.473
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119343
The paper presents the X-ray photoelectron spectra (XPS) of the valence band (VB) and of the core levels (CL) of uniaxial ferroelectric Sn₂P₂S₆ single crystals from different crystallographic planes in both paraelectric and ferroelectric phases. The XPS were measured with monochromatized Al Kα radiation in the energy range 0 1400 eV. The VB consists of five bands with the maxima between 3.3 eV and 14.5 eV below the Fermi level. Experimental energies of the VB and core levels are compared with the results of theoretical ab initio calculations of the molecular model of the Sn₂P₂S₆ crystal. The electronic structure of the VB is revealed. Ferroelectric phase transition changes the atom's charge and strength of the bonds, electronic structure of VB, width of CL lines and chemical shifts for the Sn, P and S states which are crystallographic plane-dependent.
У статтi представлено рентгенiвськi фотоелектроннi спектри (РФЕС) валентної зони (ВЗ) та остов них рiвнiв (ОР) одновiсних сегнетоелектричних кристалiв Sn₂P₂S₆, отриманi з рiзних кристалографiчних площин i в параелектричнiй, i в сегнетоелектричнiй фазах. РФЕС вимiряно з використанням монохроматизованого Al Kα випромiнювання в енергетичному дiапазонi 0–1400 еВ. ВЗ мiстить п’ять пiдзон з максимумом мiж 3.3 еВ i 14.5 еВ нижче рiвня Фермi. Експериментальнi значення енергiй рiвнiв ВЗ та ОР порiвняно з результатами теоретичних розрахункiв з перших принципiв для молекулярної моделi кристалу Sn₂P₂S₆. Визначено електронну структуру ВЗ. Перехiд у сегнетоелектричну фазу змiнює атомнi заряди та мiцнiсть зв’язкiв, електронну структуру ВЗ, ширину лiнiй ОР та хiмiчнi зсуви для станiв Sn, P i S, що є залежними вiд кристалографiчних площин.
This work was performed with nancial support of the Lithuanian State Science and Studies Foundation and within the framework of the Lithuanian-Ukrainian project.
en
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
Condensed Matter Physics
X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals
Рентгенiвська фотоелектронна спектроскопiя кристалiв Sn₂P₂S₆
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals
spellingShingle X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals
Grigas, J.
Talik, E.
Lazauskas, V.
Vysochanskii, Yu.M.
Yevych, R.
Adamiec, M.
Nelkinas, V.
title_short X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals
title_full X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals
title_fullStr X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals
title_full_unstemmed X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals
title_sort x-ray photoelectron spectroscopy of sn₂p₂s₆ crystals
author Grigas, J.
Talik, E.
Lazauskas, V.
Vysochanskii, Yu.M.
Yevych, R.
Adamiec, M.
Nelkinas, V.
author_facet Grigas, J.
Talik, E.
Lazauskas, V.
Vysochanskii, Yu.M.
Yevych, R.
Adamiec, M.
Nelkinas, V.
publishDate 2008
language English
container_title Condensed Matter Physics
publisher Інститут фізики конденсованих систем НАН України
format Article
title_alt Рентгенiвська фотоелектронна спектроскопiя кристалiв Sn₂P₂S₆
description The paper presents the X-ray photoelectron spectra (XPS) of the valence band (VB) and of the core levels (CL) of uniaxial ferroelectric Sn₂P₂S₆ single crystals from different crystallographic planes in both paraelectric and ferroelectric phases. The XPS were measured with monochromatized Al Kα radiation in the energy range 0 1400 eV. The VB consists of five bands with the maxima between 3.3 eV and 14.5 eV below the Fermi level. Experimental energies of the VB and core levels are compared with the results of theoretical ab initio calculations of the molecular model of the Sn₂P₂S₆ crystal. The electronic structure of the VB is revealed. Ferroelectric phase transition changes the atom's charge and strength of the bonds, electronic structure of VB, width of CL lines and chemical shifts for the Sn, P and S states which are crystallographic plane-dependent. У статтi представлено рентгенiвськi фотоелектроннi спектри (РФЕС) валентної зони (ВЗ) та остов них рiвнiв (ОР) одновiсних сегнетоелектричних кристалiв Sn₂P₂S₆, отриманi з рiзних кристалографiчних площин i в параелектричнiй, i в сегнетоелектричнiй фазах. РФЕС вимiряно з використанням монохроматизованого Al Kα випромiнювання в енергетичному дiапазонi 0–1400 еВ. ВЗ мiстить п’ять пiдзон з максимумом мiж 3.3 еВ i 14.5 еВ нижче рiвня Фермi. Експериментальнi значення енергiй рiвнiв ВЗ та ОР порiвняно з результатами теоретичних розрахункiв з перших принципiв для молекулярної моделi кристалу Sn₂P₂S₆. Визначено електронну структуру ВЗ. Перехiд у сегнетоелектричну фазу змiнює атомнi заряди та мiцнiсть зв’язкiв, електронну структуру ВЗ, ширину лiнiй ОР та хiмiчнi зсуви для станiв Sn, P i S, що є залежними вiд кристалографiчних площин.
issn 1607-324X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119343
citation_txt X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals / J. Grigas, E. Talik, V. Lazauskas, Yu.M. Vysochanskii, R. Yevych, M. Adamiec, V. Nelkinas // Condensed Matter Physics. — 2008. — Т. 11, № 3(55). — С. 473-482. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT grigasj xrayphotoelectronspectroscopyofsn2p2s6crystals
AT talike xrayphotoelectronspectroscopyofsn2p2s6crystals
AT lazauskasv xrayphotoelectronspectroscopyofsn2p2s6crystals
AT vysochanskiiyum xrayphotoelectronspectroscopyofsn2p2s6crystals
AT yevychr xrayphotoelectronspectroscopyofsn2p2s6crystals
AT adamiecm xrayphotoelectronspectroscopyofsn2p2s6crystals
AT nelkinasv xrayphotoelectronspectroscopyofsn2p2s6crystals
AT grigasj rentgenivsʹkafotoelektronnaspektroskopiâkristalivsn2p2s6
AT talike rentgenivsʹkafotoelektronnaspektroskopiâkristalivsn2p2s6
AT lazauskasv rentgenivsʹkafotoelektronnaspektroskopiâkristalivsn2p2s6
AT vysochanskiiyum rentgenivsʹkafotoelektronnaspektroskopiâkristalivsn2p2s6
AT yevychr rentgenivsʹkafotoelektronnaspektroskopiâkristalivsn2p2s6
AT adamiecm rentgenivsʹkafotoelektronnaspektroskopiâkristalivsn2p2s6
AT nelkinasv rentgenivsʹkafotoelektronnaspektroskopiâkristalivsn2p2s6
first_indexed 2025-12-07T13:17:04Z
last_indexed 2025-12-07T13:17:04Z
_version_ 1850855573856190464