Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках

Показано, что при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях переходных
 элементов в полупроводниках возникает вклад в спиновую восприимчивость от локализованной
 на примесях электронной плотности. Связанная с ним константа Кюри имеет необычную
 зависимость от конц...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2004
Автори: Окулов, В.И., Альшанский, Г.А., Константинов, В.Л., Королев, А.В., Нейфельд, Э.А., Сабирзянова, Л.Д., Памятных, Е.А., Паранчич, С.Ю.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119725
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках / В.И. Окулов, Г.А. Альшанский, В.Л. Константинов, А.В. Королев, Э.А. Нейфельд, Л.Д. Сабирзянова, Е.А. Памятных, С.Ю. Паранчич
 // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 5. — С. 558-562. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine