Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках

Показано, что при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях переходных элементов в полупроводниках возникает вклад в спиновую восприимчивость от локализованной на примесях электронной плотности. Связанная с ним константа Кюри имеет необычную зависимость от концентрации примесей. Получ...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2004
Hauptverfasser: Окулов, В.И., Альшанский, Г.А., Константинов, В.Л., Королев, А.В., Нейфельд, Э.А., Сабирзянова, Л.Д., Памятных, Е.А., Паранчич, С.Ю.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119725
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках / В.И. Окулов, Г.А. Альшанский, В.Л. Константинов, А.В. Королев, Э.А. Нейфельд, Л.Д. Сабирзянова, Е.А. Памятных, С.Ю. Паранчич // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 5. — С. 558-562. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine