Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
Показано, что при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях переходных
 элементов в полупроводниках возникает вклад в спиновую восприимчивость от локализованной
 на примесях электронной плотности. Связанная с ним константа Кюри имеет необычную
 зависимость от конц...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119725 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках / В.И. Окулов, Г.А. Альшанский, В.Л. Константинов, А.В. Королев, Э.А. Нейфельд, Л.Д. Сабирзянова, Е.А. Памятных, С.Ю. Паранчич
 // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 5. — С. 558-562. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |