Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках

Показано, что при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях переходных
 элементов в полупроводниках возникает вклад в спиновую восприимчивость от локализованной
 на примесях электронной плотности. Связанная с ним константа Кюри имеет необычную
 зависимость от конц...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2004
ISSN:0132-6414
Hauptverfasser: Окулов, В.И., Альшанский, Г.А., Константинов, В.Л., Королев, А.В., Нейфельд, Э.А., Сабирзянова, Л.Д., Памятных, Е.А., Паранчич, С.Ю.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119725
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках / В.И. Окулов, Г.А. Альшанский, В.Л. Константинов, А.В. Королев, Э.А. Нейфельд, Л.Д. Сабирзянова, Е.А. Памятных, С.Ю. Паранчич
 // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 5. — С. 558-562. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Показано, что при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях переходных
 элементов в полупроводниках возникает вклад в спиновую восприимчивость от локализованной
 на примесях электронной плотности. Связанная с ним константа Кюри имеет необычную
 зависимость от концентрации примесей. Получено выражение для спиновой восприимчивости
 резонансно рассеивающихся электронов в рамках подхода Фриделя. Экспериментальные данные,
 полученные на селениде ртути с примесями железа, подтвердили теоретические результаты
 и позволили определить эффективный спин резонансного состояния. Показано, що при резонансному розсіюванні електронів на донорних домішках перехідних
 елементів у напівпровідниках виникає внесок в спінову сприйнятливість від локалізованої на
 домішках електронної густини. Пов’язана з ним константа Кюрі має незвичайну залежність від
 концентрації домішок. Отримано вираз для спінової сприйнятливості електронів, що резонансно
 розсіюються, в рамках підходу Фріделя. Експериментальні дані, отримані на селеніді ртуті
 з домішками заліза, підтвердили теоретичні результати та дозволили визначити ефективний
 спін резонансного стану. It is shown that on resonance scattering of
 electrons by donor impurities in semiconductors
 there is a contribution to the spin susceptibility
 from the electron density localized at the impurities.
 The related Curie constant has an unusual
 dependence on impurity concentration. An expression
 for spin susceptibility of resonant electrons
 has been obtained in the framework of
 Friedel’s approach. The above results of the theory
 were verified by the experimental data for
 mercury selenide with iron impurities. The effective
 spin of the resonance state has been found.
ISSN:0132-6414