Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках

Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках

Показано, что при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях переходных элементов в полупроводниках возникает вклад в спиновую восприимчивость от локализованной на примесях электронной плотности. Связанная с ним константа Кюри имеет необычную зависимость от концентрации примесей. Получ...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2004
Автори: Окулов, В.И., Альшанский, Г.А., Константинов, В.Л., Королев, А.В., Нейфельд, Э.А., Сабирзянова, Л.Д., Памятных, Е.А., Паранчич, С.Ю.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
Теми:
Низкотемпеpатуpный магнетизм
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119725
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках / В.И. Окулов, Г.А. Альшанский, В.Л. Константинов, А.В. Королев, Э.А. Нейфельд, Л.Д. Сабирзянова, Е.А. Памятных, С.Ю. Паранчич // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 5. — С. 558-562. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119725
record_format dspace
spelling Окулов, В.И.
Альшанский, Г.А.
Константинов, В.Л.
Королев, А.В.
Нейфельд, Э.А.
Сабирзянова, Л.Д.
Памятных, Е.А.
Паранчич, С.Ю.
2017-06-08T08:11:46Z
2017-06-08T08:11:46Z
2004
Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках / В.И. Окулов, Г.А. Альшанский, В.Л. Константинов, А.В. Королев, Э.А. Нейфельд, Л.Д. Сабирзянова, Е.А. Памятных, С.Ю. Паранчич // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 5. — С. 558-562. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 72.10.Fk, 72.20.Dp, 72.80.Ey
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119725
Показано, что при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях переходных элементов в полупроводниках возникает вклад в спиновую восприимчивость от локализованной на примесях электронной плотности. Связанная с ним константа Кюри имеет необычную зависимость от концентрации примесей. Получено выражение для спиновой восприимчивости резонансно рассеивающихся электронов в рамках подхода Фриделя. Экспериментальные данные, полученные на селениде ртути с примесями железа, подтвердили теоретические результаты и позволили определить эффективный спин резонансного состояния.
Показано, що при резонансному розсіюванні електронів на донорних домішках перехідних елементів у напівпровідниках виникає внесок в спінову сприйнятливість від локалізованої на домішках електронної густини. Пов’язана з ним константа Кюрі має незвичайну залежність від концентрації домішок. Отримано вираз для спінової сприйнятливості електронів, що резонансно розсіюються, в рамках підходу Фріделя. Експериментальні дані, отримані на селеніді ртуті з домішками заліза, підтвердили теоретичні результати та дозволили визначити ефективний спін резонансного стану.
It is shown that on resonance scattering of electrons by donor impurities in semiconductors there is a contribution to the spin susceptibility from the electron density localized at the impurities. The related Curie constant has an unusual dependence on impurity concentration. An expression for spin susceptibility of resonant electrons has been obtained in the framework of Friedel’s approach. The above results of the theory were verified by the experimental data for mercury selenide with iron impurities. The effective spin of the resonance state has been found.
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, грант №03-02-16246, и Российско-американской программы BRHE, грант EK-005-00 (REC-005).
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низкотемпеpатуpный магнетизм
Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
Magnetic susceptibility of resonance donor impurities of transition elements in semiconductors
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
spellingShingle Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
Окулов, В.И.
Альшанский, Г.А.
Константинов, В.Л.
Королев, А.В.
Нейфельд, Э.А.
Сабирзянова, Л.Д.
Памятных, Е.А.
Паранчич, С.Ю.
Низкотемпеpатуpный магнетизм
title_short Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
title_full Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
title_fullStr Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
title_full_unstemmed Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
title_sort магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
author Окулов, В.И.
Альшанский, Г.А.
Константинов, В.Л.
Королев, А.В.
Нейфельд, Э.А.
Сабирзянова, Л.Д.
Памятных, Е.А.
Паранчич, С.Ю.
author_facet Окулов, В.И.
Альшанский, Г.А.
Константинов, В.Л.
Королев, А.В.
Нейфельд, Э.А.
Сабирзянова, Л.Д.
Памятных, Е.А.
Паранчич, С.Ю.
topic Низкотемпеpатуpный магнетизм
topic_facet Низкотемпеpатуpный магнетизм
publishDate 2004
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Magnetic susceptibility of resonance donor impurities of transition elements in semiconductors
description Показано, что при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях переходных элементов в полупроводниках возникает вклад в спиновую восприимчивость от локализованной на примесях электронной плотности. Связанная с ним константа Кюри имеет необычную зависимость от концентрации примесей. Получено выражение для спиновой восприимчивости резонансно рассеивающихся электронов в рамках подхода Фриделя. Экспериментальные данные, полученные на селениде ртути с примесями железа, подтвердили теоретические результаты и позволили определить эффективный спин резонансного состояния. Показано, що при резонансному розсіюванні електронів на донорних домішках перехідних елементів у напівпровідниках виникає внесок в спінову сприйнятливість від локалізованої на домішках електронної густини. Пов’язана з ним константа Кюрі має незвичайну залежність від концентрації домішок. Отримано вираз для спінової сприйнятливості електронів, що резонансно розсіюються, в рамках підходу Фріделя. Експериментальні дані, отримані на селеніді ртуті з домішками заліза, підтвердили теоретичні результати та дозволили визначити ефективний спін резонансного стану. It is shown that on resonance scattering of electrons by donor impurities in semiconductors there is a contribution to the spin susceptibility from the electron density localized at the impurities. The related Curie constant has an unusual dependence on impurity concentration. An expression for spin susceptibility of resonant electrons has been obtained in the framework of Friedel’s approach. The above results of the theory were verified by the experimental data for mercury selenide with iron impurities. The effective spin of the resonance state has been found.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119725
citation_txt Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках / В.И. Окулов, Г.А. Альшанский, В.Л. Константинов, А.В. Королев, Э.А. Нейфельд, Л.Д. Сабирзянова, Е.А. Памятных, С.Ю. Паранчич // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 5. — С. 558-562. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT okulovvi magnitnaâvospriimčivostʹrezonansnyhdonornyhprimeseiperehodnyhélementovvpoluprovodnikah
AT alʹšanskiiga magnitnaâvospriimčivostʹrezonansnyhdonornyhprimeseiperehodnyhélementovvpoluprovodnikah
AT konstantinovvl magnitnaâvospriimčivostʹrezonansnyhdonornyhprimeseiperehodnyhélementovvpoluprovodnikah
AT korolevav magnitnaâvospriimčivostʹrezonansnyhdonornyhprimeseiperehodnyhélementovvpoluprovodnikah
AT neifelʹdéa magnitnaâvospriimčivostʹrezonansnyhdonornyhprimeseiperehodnyhélementovvpoluprovodnikah
AT sabirzânovald magnitnaâvospriimčivostʹrezonansnyhdonornyhprimeseiperehodnyhélementovvpoluprovodnikah
AT pamâtnyhea magnitnaâvospriimčivostʹrezonansnyhdonornyhprimeseiperehodnyhélementovvpoluprovodnikah
AT parančičsû magnitnaâvospriimčivostʹrezonansnyhdonornyhprimeseiperehodnyhélementovvpoluprovodnikah
AT okulovvi magneticsusceptibilityofresonancedonorimpuritiesoftransitionelementsinsemiconductors
AT alʹšanskiiga magneticsusceptibilityofresonancedonorimpuritiesoftransitionelementsinsemiconductors
AT konstantinovvl magneticsusceptibilityofresonancedonorimpuritiesoftransitionelementsinsemiconductors
AT korolevav magneticsusceptibilityofresonancedonorimpuritiesoftransitionelementsinsemiconductors
AT neifelʹdéa magneticsusceptibilityofresonancedonorimpuritiesoftransitionelementsinsemiconductors
AT sabirzânovald magneticsusceptibilityofresonancedonorimpuritiesoftransitionelementsinsemiconductors
AT pamâtnyhea magneticsusceptibilityofresonancedonorimpuritiesoftransitionelementsinsemiconductors
AT parančičsû magneticsusceptibilityofresonancedonorimpuritiesoftransitionelementsinsemiconductors
first_indexed 2025-12-07T18:34:07Z
last_indexed 2025-12-07T18:34:07Z
_version_ 1850875521442775040

Схожі ресурси