Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals

New phenomenological models are proposed to describe the effect of an ordered lattice structure of crystalline targets on the as-implanted doping profiles of low-energy heavy ions. The models account for the channeling kinetics and clarify the effect of bi-directional transitions of ions between r...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Condensed Matter Physics
Datum:2009
Hauptverfasser: Bratchenko, M.I., Dyuldya, S.V., Bakai, A.S.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2009
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119771
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals / M.I. Bratchenko, S.V. Dyuldya, A.S. Bakai // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 1. — С. 35-49. — Бібліогр.: 44 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119771
record_format dspace
spelling Bratchenko, M.I.
Dyuldya, S.V.
Bakai, A.S.
2017-06-08T13:03:45Z
2017-06-08T13:03:45Z
2009
Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals / M.I. Bratchenko, S.V. Dyuldya, A.S. Bakai // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 1. — С. 35-49. — Бібліогр.: 44 назв. — англ.
1607-324X
PACS: 61.72.Tt, 85.40.Ry, 61.85.+p, 02.70.Uu
DOI:10.5488/CMP.12.1.35
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119771
New phenomenological models are proposed to describe the effect of an ordered lattice structure of crystalline targets on the as-implanted doping profiles of low-energy heavy ions. The models account for the channeling kinetics and clarify the effect of bi-directional transitions of ions between random-like and channeled modes of motion on the target depth dependencies of dopant concentration. They also incorporate a simple model of the target radiation damaging effect on doping profiles. The presented results of model validation against the experimental and Monte Carlo computer simulation data and the comparative analysis of the capabilities of the proposed and the existing models show that the application of a more physically grounded approach allows us to improve the quality of doping profile description. The theoretical models developed are useful for obtaining physical parameters of low-energy ion channeling kinetics from the experimental data.
Запропоновано новi феноменологiчнi моделi опису впливу впорядкованої структури кристалiчної ґратки мiшеней на профiлi iмплантацiї низькоенергетичних важких iонiв. Моделi враховують кiнетику каналювання та проясняють вплив двобiчних переходiв iонiв мiж хаотичним та канальованим режимами руху на залежностi концентрацiї домiшки вiд глибини занурення у мiшень. Вони також мiстять в собi просту модель впливу радiацiйного пошкодження мiшенi на профiлi занурення. Представленi результати верифiкацiї моделей на експериментальних даних та даних комп’ютерного моделювання методом Монте-Карло поруч iз порiвняльним аналiзом можливостей запропонованих та iснуючих моделей показали, що застосування бiльш фiзично обґрунтованого пiдходу дозволяє покращити опис профiлiв iмплантацiї. Використовуючи запропонованi теоретичнi моделi, можна одержати з аналiзу експериментальних даних фiзичнi параметри кiнетики каналювання iонiв низьких енергiй.
en
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
Condensed Matter Physics
Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals
Удосконаленi феноменологiчнi моделi внеску каналювання iонiв до профiлiв iмплантацiї у кристали
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals
spellingShingle Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals
Bratchenko, M.I.
Dyuldya, S.V.
Bakai, A.S.
title_short Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals
title_full Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals
title_fullStr Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals
title_full_unstemmed Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals
title_sort enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals
author Bratchenko, M.I.
Dyuldya, S.V.
Bakai, A.S.
author_facet Bratchenko, M.I.
Dyuldya, S.V.
Bakai, A.S.
publishDate 2009
language English
container_title Condensed Matter Physics
publisher Інститут фізики конденсованих систем НАН України
format Article
title_alt Удосконаленi феноменологiчнi моделi внеску каналювання iонiв до профiлiв iмплантацiї у кристали
description New phenomenological models are proposed to describe the effect of an ordered lattice structure of crystalline targets on the as-implanted doping profiles of low-energy heavy ions. The models account for the channeling kinetics and clarify the effect of bi-directional transitions of ions between random-like and channeled modes of motion on the target depth dependencies of dopant concentration. They also incorporate a simple model of the target radiation damaging effect on doping profiles. The presented results of model validation against the experimental and Monte Carlo computer simulation data and the comparative analysis of the capabilities of the proposed and the existing models show that the application of a more physically grounded approach allows us to improve the quality of doping profile description. The theoretical models developed are useful for obtaining physical parameters of low-energy ion channeling kinetics from the experimental data. Запропоновано новi феноменологiчнi моделi опису впливу впорядкованої структури кристалiчної ґратки мiшеней на профiлi iмплантацiї низькоенергетичних важких iонiв. Моделi враховують кiнетику каналювання та проясняють вплив двобiчних переходiв iонiв мiж хаотичним та канальованим режимами руху на залежностi концентрацiї домiшки вiд глибини занурення у мiшень. Вони також мiстять в собi просту модель впливу радiацiйного пошкодження мiшенi на профiлi занурення. Представленi результати верифiкацiї моделей на експериментальних даних та даних комп’ютерного моделювання методом Монте-Карло поруч iз порiвняльним аналiзом можливостей запропонованих та iснуючих моделей показали, що застосування бiльш фiзично обґрунтованого пiдходу дозволяє покращити опис профiлiв iмплантацiї. Використовуючи запропонованi теоретичнi моделi, можна одержати з аналiзу експериментальних даних фiзичнi параметри кiнетики каналювання iонiв низьких енергiй.
issn 1607-324X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119771
citation_txt Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals / M.I. Bratchenko, S.V. Dyuldya, A.S. Bakai // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 1. — С. 35-49. — Бібліогр.: 44 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT bratchenkomi enhancedphenomenologicalmodelsofionchannelingcontributiontodopingprofilesincrystals
AT dyuldyasv enhancedphenomenologicalmodelsofionchannelingcontributiontodopingprofilesincrystals
AT bakaias enhancedphenomenologicalmodelsofionchannelingcontributiontodopingprofilesincrystals
AT bratchenkomi udoskonalenifenomenologičnimodelivneskukanalûvannâionivdoprofilivimplantaciíukristali
AT dyuldyasv udoskonalenifenomenologičnimodelivneskukanalûvannâionivdoprofilivimplantaciíukristali
AT bakaias udoskonalenifenomenologičnimodelivneskukanalûvannâionivdoprofilivimplantaciíukristali
first_indexed 2025-12-07T13:31:38Z
last_indexed 2025-12-07T13:31:38Z
_version_ 1850856490635624448