Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals
New phenomenological models are proposed to describe the effect of an ordered lattice structure of crystalline
 targets on the as-implanted doping profiles of low-energy heavy ions. The models account for the channeling
 kinetics and clarify the effect of bi-directional transitions o...
Saved in:
| Published in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119771 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals / M.I. Bratchenko, S.V. Dyuldya, A.S. Bakai // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 1. — С. 35-49. — Бібліогр.: 44 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862624283447001088 |
|---|---|
| author | Bratchenko, M.I. Dyuldya, S.V. Bakai, A.S. |
| author_facet | Bratchenko, M.I. Dyuldya, S.V. Bakai, A.S. |
| citation_txt | Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals / M.I. Bratchenko, S.V. Dyuldya, A.S. Bakai // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 1. — С. 35-49. — Бібліогр.: 44 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | New phenomenological models are proposed to describe the effect of an ordered lattice structure of crystalline
targets on the as-implanted doping profiles of low-energy heavy ions. The models account for the channeling
kinetics and clarify the effect of bi-directional transitions of ions between random-like and channeled modes
of motion on the target depth dependencies of dopant concentration. They also incorporate a simple model
of the target radiation damaging effect on doping profiles. The presented results of model validation against
the experimental and Monte Carlo computer simulation data and the comparative analysis of the capabilities
of the proposed and the existing models show that the application of a more physically grounded approach
allows us to improve the quality of doping profile description. The theoretical models developed are useful for
obtaining physical parameters of low-energy ion channeling kinetics from the experimental data.
Запропоновано новi феноменологiчнi моделi опису впливу впорядкованої структури кристалiчної ґратки мiшеней на профiлi iмплантацiї низькоенергетичних важких iонiв. Моделi враховують кiнетику каналювання та проясняють вплив двобiчних переходiв iонiв мiж хаотичним та канальованим режимами руху на залежностi концентрацiї домiшки вiд глибини занурення у мiшень. Вони також мiстять в собi просту модель впливу радiацiйного пошкодження мiшенi на профiлi занурення. Представленi результати верифiкацiї моделей на експериментальних даних та даних комп’ютерного моделювання методом Монте-Карло поруч iз порiвняльним аналiзом можливостей запропонованих та iснуючих моделей показали, що застосування бiльш фiзично обґрунтованого пiдходу дозволяє покращити опис профiлiв iмплантацiї. Використовуючи запропонованi теоретичнi моделi, можна одержати з аналiзу експериментальних даних фiзичнi параметри кiнетики каналювання iонiв низьких енергiй.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:31:38Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119771 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T13:31:38Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Bratchenko, M.I. Dyuldya, S.V. Bakai, A.S. 2017-06-08T13:03:45Z 2017-06-08T13:03:45Z 2009 Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals / M.I. Bratchenko, S.V. Dyuldya, A.S. Bakai // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 1. — С. 35-49. — Бібліогр.: 44 назв. — англ. 1607-324X PACS: 61.72.Tt, 85.40.Ry, 61.85.+p, 02.70.Uu DOI:10.5488/CMP.12.1.35 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119771 New phenomenological models are proposed to describe the effect of an ordered lattice structure of crystalline
 targets on the as-implanted doping profiles of low-energy heavy ions. The models account for the channeling
 kinetics and clarify the effect of bi-directional transitions of ions between random-like and channeled modes
 of motion on the target depth dependencies of dopant concentration. They also incorporate a simple model
 of the target radiation damaging effect on doping profiles. The presented results of model validation against
 the experimental and Monte Carlo computer simulation data and the comparative analysis of the capabilities
 of the proposed and the existing models show that the application of a more physically grounded approach
 allows us to improve the quality of doping profile description. The theoretical models developed are useful for
 obtaining physical parameters of low-energy ion channeling kinetics from the experimental data. Запропоновано новi феноменологiчнi моделi опису впливу впорядкованої структури кристалiчної ґратки мiшеней на профiлi iмплантацiї низькоенергетичних важких iонiв. Моделi враховують кiнетику каналювання та проясняють вплив двобiчних переходiв iонiв мiж хаотичним та канальованим режимами руху на залежностi концентрацiї домiшки вiд глибини занурення у мiшень. Вони також мiстять в собi просту модель впливу радiацiйного пошкодження мiшенi на профiлi занурення. Представленi результати верифiкацiї моделей на експериментальних даних та даних комп’ютерного моделювання методом Монте-Карло поруч iз порiвняльним аналiзом можливостей запропонованих та iснуючих моделей показали, що застосування бiльш фiзично обґрунтованого пiдходу дозволяє покращити опис профiлiв iмплантацiї. Використовуючи запропонованi теоретичнi моделi, можна одержати з аналiзу експериментальних даних фiзичнi параметри кiнетики каналювання iонiв низьких енергiй. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals Удосконаленi феноменологiчнi моделi внеску каналювання iонiв до профiлiв iмплантацiї у кристали Article published earlier |
| spellingShingle | Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals Bratchenko, M.I. Dyuldya, S.V. Bakai, A.S. |
| title | Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals |
| title_alt | Удосконаленi феноменологiчнi моделi внеску каналювання iонiв до профiлiв iмплантацiї у кристали |
| title_full | Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals |
| title_fullStr | Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals |
| title_full_unstemmed | Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals |
| title_short | Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals |
| title_sort | enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119771 |
| work_keys_str_mv | AT bratchenkomi enhancedphenomenologicalmodelsofionchannelingcontributiontodopingprofilesincrystals AT dyuldyasv enhancedphenomenologicalmodelsofionchannelingcontributiontodopingprofilesincrystals AT bakaias enhancedphenomenologicalmodelsofionchannelingcontributiontodopingprofilesincrystals AT bratchenkomi udoskonalenifenomenologičnimodelivneskukanalûvannâionivdoprofilivimplantaciíukristali AT dyuldyasv udoskonalenifenomenologičnimodelivneskukanalûvannâionivdoprofilivimplantaciíukristali AT bakaias udoskonalenifenomenologičnimodelivneskukanalûvannâionivdoprofilivimplantaciíukristali |