Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals
New phenomenological models are proposed to describe the effect of an ordered lattice structure of crystalline
 targets on the as-implanted doping profiles of low-energy heavy ions. The models account for the channeling
 kinetics and clarify the effect of bi-directional transitions o...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2009
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119771 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals / M.I. Bratchenko, S.V. Dyuldya, A.S. Bakai // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 1. — С. 35-49. — Бібліогр.: 44 назв. — англ. |