Energy spectrum of transition metal impurity in a semiconductor with an ideal surface
Energy spectrum of the transition metal impurity which substitutes a cation in a zink-blende structure semiconductor with an ideal surface is investigated theoretically. Model Hamiltonian of the semiconductor is treated by the semi-empirical tight-binding method, and energy of deep 3d-levels is d...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
1999
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119918 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Energy spectrum of transition metal impurity in a semiconductor with an ideal surface / S.V. Melnychuk, I.M. Yurijchuk // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 1(17). — С. 133-142. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |