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Energy spectrum of transition metal impurity in a semiconductor with an ideal surface

Energy spectrum of the transition metal impurity which substitutes a cation in a zink-blende structure semiconductor with an ideal surface is investigated theoretically. Model Hamiltonian of the semiconductor is treated by the semi-empirical tight-binding method, and energy of deep 3d-levels is d...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Condensed Matter Physics
Datum:	1999
Hauptverfasser:	Melnychuk, S.V., Yurijchuk, I.M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики конденсованих систем НАН України 1999
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119918
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Energy spectrum of transition metal impurity in a semiconductor with an ideal surface / S.V. Melnychuk, I.M. Yurijchuk // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 1(17). — С. 133-142. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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