Зображення обкладинки

Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features

Over a wide temperature range (77…400 K), we studied I-V curves of photoelectric converter (solar cell) prototypes made on the basis of p-AlxGa₁-xAs– p-GaAs–n-GaAs–n⁺-GaAs heteroepitaxial structures grown on smooth or microrelief n⁺-GaAs substrates using the standard liquid phase epitaxy (LPE) and t...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2005
Автори:	Dmitruk, N.L., Karimov, A.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119964
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features / N.L. Dmitruk, A.V. Karimov, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Sachenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 46-52. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Investigations of surface morphology and microrelief of GaAs single crystals by complementary methods
за авторством: Zymierska, D., та інші
Опубліковано: (2000)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2015)

Development and investigation of microwave radiation sources and detector sections using SBDs within the 220–400 GHz frequency range
за авторством: Zorenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of plasma treatment on erosion haracteristics and structure of reversible hydrogen getters
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2000)

Investigation of the process of microrelief structures formation in chromium films based on the method of chemical etching
за авторством: A. V. Pankratova, та інші
Опубліковано: (2021)

Diffraction Control of Optical Discs Microrelief
за авторством: Antonov, E. E., та інші
Опубліковано: (2016)

Haracteristics of wound infections and methods of their treatment using preparations of biological origin
за авторством: A. V. Oliinyk, та інші
Опубліковано: (2022)

Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface
за авторством: N. L. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2015)

Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)

Investigation of the process of microrelief structures formation in chromium films based on the method of chemical etching
за авторством: Панкратова, А. В., та інші
Опубліковано: (2021)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Energy Сharacteristics of System of Two Tilted Slots in Rectangular Waveguide Narrow Wall
за авторством: Katrich, V. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Vacuum method for creation of liquid crystal orienting microrelief
за авторством: Kolomzarov, Yu., та інші
Опубліковано: (2003)

A universal automated complex for control and diagnostics of semiconductor devices and structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Investigation of electric ARC plasma between composite Cu–C electrodes
за авторством: Veklich, A.N., та інші
Опубліковано: (2013)

A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
за авторством: Sukhovii, N. O., та інші
Опубліковано: (2018)

A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
за авторством: N. O. Sukhovii, та інші
Опубліковано: (2018)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Optical Properties of Galvanic Series of Matrices for Microrelief Light Reflective Structures
за авторством: Antonov, E. E., та інші
Опубліковано: (2013)

Surface microrelief obtained by composed target deposition for LC molecules alignment
за авторством: Kolomzarov, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2019)

Investigation of manufacturability and effectiveness of the new slag for electrosdlag remelting
за авторством: H. P. Stovpchenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: P. V. Parphenyuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: Parphenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2016)

The microrelief studies of stainless steel mirrors sputtered with Ar⁺ ions of different energy
за авторством: Bondarenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2018)

Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
за авторством: Gorbach, T.Ya., та інші
Опубліковано: (1998)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Direct laser writing of microrelief structures on chalcogenide glass by laser beam recorder of master discs
за авторством: Petrov, V. V., та інші
Опубліковано: (2020)

Direct laser writing of microrelief structures on chalcogenide glass by laser beam recorder of master discs
за авторством: V. V. Petrov, та інші
Опубліковано: (2020)

Manufacturing and investigation of thin-film aluminium-alumina nanostructures
за авторством: T. S. Lebiedieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Nanostructurization of a Surface of a Heteroepitaxial CdHgTe Film by a Method of the Ion Implantation of Ag+
за авторством: R. S. Udovytska
Опубліковано: (2015)

THE STABILITY MONITORING OF THE MANUFACTURING PROCESS OF ELECTRICAL INSULATING SYSTEMS OF TRACTION ELECTRIC MACHINES
за авторством: Bezprozvannych, G. V., та інші
Опубліковано: (2017)

Comparative analysis of electrical and thermal control of the lining state of induction apparatus of copper wire manufacture
за авторством: Zolotaryov, V.M., та інші
Опубліковано: (2018)