Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2004
• Автори: Двуреченский, А.В., Никифоров, А.И., Пчеляков, О.П., Тийс, С.А., Якимов, А.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Теми: Низкоразмерные и неупорядоченные системы
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120165
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками / А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1169–1179. — Бібліогр.: 37 назв. — рос.

Изложены результаты исследования процессов получения и определения электрических и оптических характеристик массивов наноостровков Ge в Si (искусственных «атомов») с дискретным энергетическим спектром, который проявляется вплоть до комнатной температуры. Проведен краткий анализ современного состо...