Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках
Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках. Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении энергией Ферми энергии резонансного уровня, конце...
Saved in:
| Date: | 2004 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120278 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках / В.И. Окулов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1194–1202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов
резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках.
Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении
энергией Ферми энергии резонансного уровня, концентрационный максимум подвижности,
температурная и концентрационная зависимости магнитной восприимчивости локализованных
резонансных состояний. Обсуждаются пределы применимости полученных результатов. |
|---|