Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках
Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках. Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении энергией Ферми энергии резонансного уровня, конце...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120278 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках / В.И. Окулов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1194–1202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов
резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках.
Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении
энергией Ферми энергии резонансного уровня, концентрационный максимум подвижности,
температурная и концентрационная зависимости магнитной восприимчивости локализованных
резонансных состояний. Обсуждаются пределы применимости полученных результатов. |
|---|