Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках

• Datum: 2004
• 1. Verfasser: Окулов, В.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Schriftenreihe: Физика низких температур
• Schlagworte: Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120278
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках / В.И. Окулов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1194–1202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках. Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении энергией Ферми энергии резонансного уровня, конце...