Зображення обкладинки

The inﬂuence of defects and conductivity on the domain structure properties and the memory effect in the ferroelectrics-semiconductors Sn₂P₂Se₆

For the proper uniaxial ferroelectrics Sn₂P₂Se₆ with the controlled content of different type of impurities the investigations of dielectric permeability temperature dependence are performed with the aim to determine the inﬂuence of the crystal structure defects upon: the efﬁciency of the thermal...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Condensed Matter Physics
Дата:	1999
Автори:	Vysochanskii, Yu.M., Molnar, A.A., Khoma, M.M., Motrja, S.F.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики конденсованих систем НАН України 1999
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120525
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	The inﬂuence of defects and conductivity on the domain structure properties and the memory effect in the ferroelectrics-semiconductors Sn₂P₂Se₆ / Yu.M. Vysochanskii, A.A. Molnar, M.M. Khoma, S.F. Motrja // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 421-434. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Lattice dynamics and phase transitions in Sn₂P₂S(Se)₆ ferroelectric crystals
за авторством: Yevych, R.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Dipole models of proper ferroelectrics NaNO₂ and Sn(Pb)₂P₂S(Se)₆
за авторством: Drobnich, A., та інші
Опубліковано: (1998)

The phase transitions character and microscopic models for Sn₂P₂S(Se)₆ ferroelectrics
за авторством: Vysochanskii, Yu., та інші
Опубліковано: (2002)

Dielectric relaxation and freezing effect in Sn₂P₂S₆
за авторством: Maior, M.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Valence fluctuations in Sn(Pb)₂P₂S₆ ferroelectrics
за авторством: Yevych, R., та інші
Опубліковано: (2016)

Diffusion phase transitions in (PbySn₁−y)₂P₂(SexS₁−x)₆ solid solutions
за авторством: Maior, M.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Partial polarization switching in ferroelectrics-semiconductors with charged defects
за авторством: Morozovska, A.N., та інші
Опубліковано: (2004)

Valence fluctuations in Sn(Pb)2P2S6 ferroelectrics
за авторством: R. Yevych, та інші
Опубліковано: (2016)

Simulation of energy states in solid solutions based on the ferroelectrics- semiconductors of Sn₂P₂S₆ type
за авторством: Mitin, O.B., та інші
Опубліковано: (2000)

Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Influence of domain structure in ferroelectric substrate on graphene conductance (authors&#039; review)
за авторством: M. V. Strikha, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of domain structure in ferroelectric substrate on graphene conductance (authors&#039; review)
за авторством: M. V. Strikha, та інші
Опубліковано: (2018)

Pyroelectric response of inhomogeneous ferroelectric-semiconductor films
за авторством: Morozovska, A.N.
Опубліковано: (2007)

Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Conductivity of graphene on ferroelectric PVDF-TrFE
за авторством: A. I. Kurchak, та інші
Опубліковано: (2014)

Conductivity of graphene on ferroelectric PVDF-TrFE
за авторством: A. I. Kurchak, та інші
Опубліковано: (2014)

The second order phase transition in Sn₂P₂S₆ crystals: anharmonic oscillator model
за авторством: Yevych, R.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Phase transitions in Sn₂P₂S₆ ferroelectric under high pressures
за авторством: Slivka, A.G., та інші
Опубліковано: (1999)

Nonlinear dynamics of ferroelectrics with three-well local potential
за авторством: Yevych, R., та інші
Опубліковано: (2018)

On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag₃AsS₃
за авторством: Borovoy, N., та інші
Опубліковано: (2013)

Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Formation and properties of intercalatal nanostructures of an inorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Dynamics of the domain structure in non-uniform ferroelectric crystals
за авторством: Matyjasek, K., та інші
Опубліковано: (2007)

Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)

Break-junction experiments on the Kondo semiconductor CeNiSn: tunnelling versus direct conductance
за авторством: Naidyuk, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2000)

Влияние высоких давлений на электрические свойства сегнетоэлектриков AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2009)

p, T, E-diagram of Sn₂P₂S₆ ferroelectric with high-pressure incommensurate phase
за авторством: Kedyulich, V.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Description of lattice anharmonicity observed in ferroelectrics with unusual three-well local potential
за авторством: Yevych, R., та інші
Опубліковано: (2018)

Physical mechanism of temperature oscillations in ferroelectric ceramics conduction
за авторством: Lepikh, Ya.I.
Опубліковано: (2000)

Effect of doping level and compensation on thermal conductivity in CexSn1–xSe solid solutions
за авторством: Sh. S. Ismailov, та інші
Опубліковано: (2020)

Concentration dependence of the electrical conductivity and the Hall effect of CexSn1–xSe monocrystals
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2019)

Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)

Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)

Image infrared converters based on ferroelectric- semiconductor thin-layer systems
за авторством: Sosnin, A.
Опубліковано: (2000)

On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag3AsS3
за авторством: N. Borovoy, та інші
Опубліковано: (2013)

Electronic structure of PbSnS₃ and PbGeS₃ semiconductor compounds with the mixed cation coordination
за авторством: Bletskan, M.M., та інші
Опубліковано: (2015)

Фазові рівноваги в системі Tl₂Se—SnSe, одержання та властивості монокристалів сполуки Tl₄SnSe₃
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)

Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2019)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)

Modelling of micro- and nanodomain arrays recorded in ferroelectrics-semiconductors by using atomic force microscopy
за авторством: Morozovska, A.N.
Опубліковано: (2006)