On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations
Radiation-optical effects in vitreous chalcogenide semiconductors are comprehensively analyzed as resulting from both intrinsic and impurity-related redistribution of covalent chemical bonds known also together as destructionpolymerization transformations. Two types of experimental measuring protoc...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | Shpotyuk, M.V., Vakiv, M.M, Shpotyuk, O.I, Ubizskii, S.B. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120732 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations / M.V. Shpotyuk, M.M. Vakiv, O.I. Shpotyuk, S.B. Ubizskii // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 1. — С. 90-96. — Бібліогр.: 45 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations
за авторством: M. V. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2015) -
Free-volume correlations in positron-sensitive annihilation modes in chalcogenide vitreous semiconductors: on the path from illusions towards realistic physical description
за авторством: O. I. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Optical nonlinearities in chalcogenide vitreous semiconductors (review)
за авторством: I. D. Tolmachev, та інші
Опубліковано: (2010) -
Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012) -
Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)