Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
This paper reports the application of scanning electron microscopy, x-ray diffraction, and
 photoluminescence techniques for characterization of ZnSe nanocrystals grown on GaAs (100) substrate
 from the vapor phase. The applied characterization techniques show the evidence for coexis...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120867 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor
 phase epitaxy / V.V. Tishchenko, A.V. Kovalenko // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 12. — С. 1545–1550. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |