Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
This paper reports the application of scanning electron microscopy, x-ray diffraction, and
 photoluminescence techniques for characterization of ZnSe nanocrystals grown on GaAs (100) substrate
 from the vapor phase. The applied characterization techniques show the evidence for coexis...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120867 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor
 phase epitaxy / V.V. Tishchenko, A.V. Kovalenko // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 12. — С. 1545–1550. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |