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Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy

This paper reports the application of scanning electron microscopy, x-ray diffraction, and photoluminescence techniques for characterization of ZnSe nanocrystals grown on GaAs (100) substrate from the vapor phase. The applied characterization techniques show the evidence for coexis...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика низких температур
Datum:	2006
Hauptverfasser:	Tishchenko, V.V., Kovalenko, A.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2006
Schlagworte:	Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120867
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy / V.V. Tishchenko, A.V. Kovalenko // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 12. — С. 1545–1550. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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