О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Бакай, А.С., Тимошевский, А.Н., Калькута, С.А., Месланг, А., Владимиров, В.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Schlagworte: Письма pедактоpу
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120959
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия / А.С. Бакай, А.Н. Тимошевский, С.А. Калькута, А. Месланг, В.П. Владимиров // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1170–1173. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Путем ab initio численного моделирования методом полного потенциала линеаризованных присоединенных плоских волн вычислены плотность электронных состояний и зарядовая плотность идеального кристалла бериллия и кристалла, в котором каждый 64-й узел решетки вакантен. Обнаружено, что плотность электро...