О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия
Путем ab initio численного моделирования методом полного потенциала линеаризованных присоединенных плоских волн вычислены плотность электронных состояний и зарядовая плотность идеального кристалла бериллия и кристалла, в котором каждый 64-й узел решетки вакантен. Обнаружено, что плотность электро...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120959 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия / А.С. Бакай, А.Н. Тимошевский, С.А. Калькута, А. Месланг, В.П. Владимиров // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1170–1173. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120959 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Бакай, А.С. Тимошевский, А.Н. Калькута, С.А. Месланг, А. Владимиров, В.П. 2017-06-13T11:03:55Z 2017-06-13T11:03:55Z 2007 О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия / А.С. Бакай, А.Н. Тимошевский, С.А. Калькута, А. Месланг, В.П. Владимиров // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1170–1173. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.50.Yg, 71.20.–b https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120959 Путем ab initio численного моделирования методом полного потенциала линеаризованных присоединенных плоских волн вычислены плотность электронных состояний и зарядовая плотность идеального кристалла бериллия и кристалла, в котором каждый 64-й узел решетки вакантен. Обнаружено, что плотность электронных состояний бериллия с подрешеткой вакансий на уровне Ферми примерно в два раза больше, чем у идеального кристалла. При этом зарядовая плотность электронов проводимости на уровне Ферми имеет глубокий минимум в области вакансии и претерпевает существенные изменения в межузельных полостях вокруг вакансии. Оценка показывает, что температура сверхпроводящего перехода бериллия с вакансиями приблизительно в 150 раз выше, чем в идеальном кристалле. За допомогою ab initio числового моделювання методом повного потенціалу лінеаризованих при- єднаних плоских хвиль вичислено густину електронних станів та зарядову густину ідеального кристала берилію та кристала, у якому кожен 64-й вузол гратки є вакантним. Виявлено, що густина електронних станів берилію з підграткою вакансій на рівні Фермі приблизно вдвічі більша ніж у ідеального кристала. При цьому зарядова густина електронів провідності на рівні Фермі має глибокий мінімум в області вакансії і зазнає істотних змін в околі вакансії. Оцінка показує, що температура надпровідного переходу берилію з вакансіями приблизно в 150 разів вища, ніж у ідеальному кристалі. The density of electron states and charge density of ideal crystal of Be and beryllium with one vacancy per 64 cites are calculated by means of ab initio simulations using the Full Potential Linearized Augmented Plane Wave code. It is revealed that the density of electron states on the Fermi level of Be with vacancy sublattice is nearly twice larger than that of the ideal crystal. The charge density of the conducting electrons on the Fermi level is rather small within the vacant site and undergoes essential changes in the vicinity of the vacancy. An estimation shows that the superconducting transition temperature of the vacancies containing beryllium is nearly 150 times larger than that of the ideal crystal. Авторы благодарны В.М. Кузьменко и М.Б. Лазаревой за полезные обсуждения. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Письма pедактоpу О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия About the vacancy effect upon the electronic properties of beryllium Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия |
| spellingShingle |
О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия Бакай, А.С. Тимошевский, А.Н. Калькута, С.А. Месланг, А. Владимиров, В.П. Письма pедактоpу |
| title_short |
О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия |
| title_full |
О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия |
| title_fullStr |
О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия |
| title_full_unstemmed |
О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия |
| title_sort |
о влиянии вакансий на электронные свойства бериллия |
| author |
Бакай, А.С. Тимошевский, А.Н. Калькута, С.А. Месланг, А. Владимиров, В.П. |
| author_facet |
Бакай, А.С. Тимошевский, А.Н. Калькута, С.А. Месланг, А. Владимиров, В.П. |
| topic |
Письма pедактоpу |
| topic_facet |
Письма pедактоpу |
| publishDate |
2007 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
About the vacancy effect upon the electronic properties of beryllium |
| description |
Путем ab initio численного моделирования методом полного потенциала линеаризованных присоединенных
плоских волн вычислены плотность электронных состояний и зарядовая плотность идеального
кристалла бериллия и кристалла, в котором каждый 64-й узел решетки вакантен. Обнаружено,
что плотность электронных состояний бериллия с подрешеткой вакансий на уровне Ферми
примерно в два раза больше, чем у идеального кристалла. При этом зарядовая плотность электронов
проводимости на уровне Ферми имеет глубокий минимум в области вакансии и претерпевает существенные
изменения в межузельных полостях вокруг вакансии. Оценка показывает, что температура
сверхпроводящего перехода бериллия с вакансиями приблизительно в 150 раз выше, чем в идеальном
кристалле.
За допомогою ab initio числового моделювання методом повного потенціалу лінеаризованих при-
єднаних плоских хвиль вичислено густину електронних станів та зарядову густину ідеального кристала
берилію та кристала, у якому кожен 64-й вузол гратки є вакантним. Виявлено, що густина електронних
станів берилію з підграткою вакансій на рівні Фермі приблизно вдвічі більша ніж у
ідеального кристала. При цьому зарядова густина електронів провідності на рівні Фермі має глибокий
мінімум в області вакансії і зазнає істотних змін в околі вакансії. Оцінка показує, що температура
надпровідного переходу берилію з вакансіями приблизно в 150 разів вища, ніж у ідеальному кристалі.
The density of electron states and charge density
of ideal crystal of Be and beryllium with one
vacancy per 64 cites are calculated by means of ab
initio simulations using the Full Potential Linearized
Augmented Plane Wave code. It is revealed
that the density of electron states on the Fermi level
of Be with vacancy sublattice is nearly twice
larger than that of the ideal crystal. The charge
density of the conducting electrons on the Fermi
level is rather small within the vacant site and undergoes
essential changes in the vicinity of the
vacancy. An estimation shows that the superconducting
transition temperature of the vacancies
containing beryllium is nearly 150 times larger
than that of the ideal crystal.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120959 |
| citation_txt |
О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия / А.С. Бакай, А.Н. Тимошевский, С.А. Калькута, А. Месланг, В.П. Владимиров // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1170–1173. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT bakaias ovliâniivakansiinaélektronnyesvoistvaberilliâ AT timoševskiian ovliâniivakansiinaélektronnyesvoistvaberilliâ AT kalʹkutasa ovliâniivakansiinaélektronnyesvoistvaberilliâ AT meslanga ovliâniivakansiinaélektronnyesvoistvaberilliâ AT vladimirovvp ovliâniivakansiinaélektronnyesvoistvaberilliâ AT bakaias aboutthevacancyeffectupontheelectronicpropertiesofberyllium AT timoševskiian aboutthevacancyeffectupontheelectronicpropertiesofberyllium AT kalʹkutasa aboutthevacancyeffectupontheelectronicpropertiesofberyllium AT meslanga aboutthevacancyeffectupontheelectronicpropertiesofberyllium AT vladimirovvp aboutthevacancyeffectupontheelectronicpropertiesofberyllium |
| first_indexed |
2025-12-07T17:55:42Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:55:42Z |
| _version_ |
1850873104275865600 |