Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
We present the results of calculations of the piezoelectric effect in a Si/SiGe multilayer structure with a narrow quantum well and a wide layer of doped Si semiconductor. The proposed theory is a possible explanation of some recent experiments on these structures. Представлені результати розраху...
Saved in:
| Published in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Date: | 2000 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2000
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120979 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures / V.K. Dugaev, O.A. Mironov, S.V. Kosyachenko // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 835-844. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120979 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Dugaev, V.K. Mironov, O.A. Kosyachenko, S.V. 2017-06-13T12:04:25Z 2017-06-13T12:04:25Z 2000 Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures / V.K. Dugaev, O.A. Mironov, S.V. Kosyachenko // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 835-844. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. 1607-324X DOI:10.5488/CMP.3.4.835 PACS: 77.65.Ly, 85.50.+k, 73.61.-r https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120979 We present the results of calculations of the piezoelectric effect in a Si/SiGe multilayer structure with a narrow quantum well and a wide layer of doped Si semiconductor. The proposed theory is a possible explanation of some recent experiments on these structures. Представлені результати розрахунків п’єзоелектричного ефекту в Si/SiGe багатошаровій структурі з вузькою квантовою ямою і товстим шаром легованого напівпровідного кремнію Si. Запропонована теорія є можливим поясненням деяких недавніх екпериментів на цих структурах. This work was partially supported by the Science and Technology Center of Ukraine under Grant No. 591. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures П’єзоелектричний ефект в модуляційно легованих гетероструктурах p -Si/SiGe/(001)Si Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures |
| spellingShingle |
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures Dugaev, V.K. Mironov, O.A. Kosyachenko, S.V. |
| title_short |
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures |
| title_full |
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures |
| title_fullStr |
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures |
| title_full_unstemmed |
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures |
| title_sort |
piezoelectric effect in p -si/sige/(001)si modulation doped heterostructures |
| author |
Dugaev, V.K. Mironov, O.A. Kosyachenko, S.V. |
| author_facet |
Dugaev, V.K. Mironov, O.A. Kosyachenko, S.V. |
| publishDate |
2000 |
| language |
English |
| container_title |
Condensed Matter Physics |
| publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
П’єзоелектричний ефект в модуляційно легованих гетероструктурах p -Si/SiGe/(001)Si |
| description |
We present the results of calculations of the piezoelectric effect in a Si/SiGe
multilayer structure with a narrow quantum well and a wide layer of doped
Si semiconductor. The proposed theory is a possible explanation of some
recent experiments on these structures.
Представлені результати розрахунків п’єзоелектричного ефекту в
Si/SiGe багатошаровій структурі з вузькою квантовою ямою і товстим
шаром легованого напівпровідного кремнію Si. Запропонована теорія є можливим поясненням деяких недавніх екпериментів на цих
структурах.
|
| issn |
1607-324X |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120979 |
| citation_txt |
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures / V.K. Dugaev, O.A. Mironov, S.V. Kosyachenko // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 835-844. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT dugaevvk piezoelectriceffectinpsisige001simodulationdopedheterostructures AT mironovoa piezoelectriceffectinpsisige001simodulationdopedheterostructures AT kosyachenkosv piezoelectriceffectinpsisige001simodulationdopedheterostructures AT dugaevvk pêzoelektričniiefektvmodulâcíinolegovanihgeterostrukturahpsisige001si AT mironovoa pêzoelektričniiefektvmodulâcíinolegovanihgeterostrukturahpsisige001si AT kosyachenkosv pêzoelektričniiefektvmodulâcíinolegovanihgeterostrukturahpsisige001si |
| first_indexed |
2025-12-07T18:13:51Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:13:51Z |
| _version_ |
1850874246424690688 |