Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
We present the results of calculations of the piezoelectric effect in a Si/SiGe
 multilayer structure with a narrow quantum well and a wide layer of doped
 Si semiconductor. The proposed theory is a possible explanation of some
 recent experiments on these structures. Предста...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2000
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120979 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures / V.K. Dugaev, O.A. Mironov, S.V. Kosyachenko // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 835-844. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862718246638059520 |
|---|---|
| author | Dugaev, V.K. Mironov, O.A. Kosyachenko, S.V. |
| author_facet | Dugaev, V.K. Mironov, O.A. Kosyachenko, S.V. |
| citation_txt | Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures / V.K. Dugaev, O.A. Mironov, S.V. Kosyachenko // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 835-844. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | We present the results of calculations of the piezoelectric effect in a Si/SiGe
multilayer structure with a narrow quantum well and a wide layer of doped
Si semiconductor. The proposed theory is a possible explanation of some
recent experiments on these structures.
Представлені результати розрахунків п’єзоелектричного ефекту в
Si/SiGe багатошаровій структурі з вузькою квантовою ямою і товстим
шаром легованого напівпровідного кремнію Si. Запропонована теорія є можливим поясненням деяких недавніх екпериментів на цих
структурах.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:13:51Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120979 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T18:13:51Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Dugaev, V.K. Mironov, O.A. Kosyachenko, S.V. 2017-06-13T12:04:25Z 2017-06-13T12:04:25Z 2000 Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures / V.K. Dugaev, O.A. Mironov, S.V. Kosyachenko // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 835-844. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. 1607-324X DOI:10.5488/CMP.3.4.835 PACS: 77.65.Ly, 85.50.+k, 73.61.-r https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120979 We present the results of calculations of the piezoelectric effect in a Si/SiGe
 multilayer structure with a narrow quantum well and a wide layer of doped
 Si semiconductor. The proposed theory is a possible explanation of some
 recent experiments on these structures. Представлені результати розрахунків п’єзоелектричного ефекту в
 Si/SiGe багатошаровій структурі з вузькою квантовою ямою і товстим
 шаром легованого напівпровідного кремнію Si. Запропонована теорія є можливим поясненням деяких недавніх екпериментів на цих
 структурах. This work was partially supported by the Science and Technology Center of
 Ukraine under Grant No. 591. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures П’єзоелектричний ефект в модуляційно легованих гетероструктурах p -Si/SiGe/(001)Si Article published earlier |
| spellingShingle | Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures Dugaev, V.K. Mironov, O.A. Kosyachenko, S.V. |
| title | Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures |
| title_alt | П’єзоелектричний ефект в модуляційно легованих гетероструктурах p -Si/SiGe/(001)Si |
| title_full | Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures |
| title_fullStr | Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures |
| title_full_unstemmed | Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures |
| title_short | Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures |
| title_sort | piezoelectric effect in p -si/sige/(001)si modulation doped heterostructures |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120979 |
| work_keys_str_mv | AT dugaevvk piezoelectriceffectinpsisige001simodulationdopedheterostructures AT mironovoa piezoelectriceffectinpsisige001simodulationdopedheterostructures AT kosyachenkosv piezoelectriceffectinpsisige001simodulationdopedheterostructures AT dugaevvk pêzoelektričniiefektvmodulâcíinolegovanihgeterostrukturahpsisige001si AT mironovoa pêzoelektričniiefektvmodulâcíinolegovanihgeterostrukturahpsisige001si AT kosyachenkosv pêzoelektričniiefektvmodulâcíinolegovanihgeterostrukturahpsisige001si |