Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
We investigated electrophysical properties of the SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures that are used in technological process when manufacturing transmission lines for microwave integrated circuits. The SiO₂-GaAs structures were formed using different techniques, namely, (i) monosilane oxidation...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121160 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines / N.S. Boltovets, G.N. Kashin, R.V. Konakova, V.G. Lyapin, V.V. Milenin, E.A. Soloviev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 183-187. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2002)
Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (1999)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)
SiO₂/Au core-shell nanoparticles: synthesis and characterization
за авторством: Matveevskaya, N.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Matveevskaya, N.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Селективная спектроскопия примесных ионов Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅ , Gd₂SiO₅ , Lu₂SiO₅
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2000)
Микроскопическая природа оптических центров Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅, Lu₂SiO₅, Gd₂SiO₅
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Nanostructurization of Si and GaAs by acoustic cavitation in liquid nitrogen
за авторством: S. V. Biletskyi, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Biletskyi, та інші
Опубліковано: (2015)
Проявление квазисимметрии катионных узлов Gd₂SiO₅, ₂SiO₅ и Lu₂SiO₅ в спектрах примесного иона Pr³⁺
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2001)
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Роль поверхности в формировании свойств пирогенных нанокомпозитов SiO₂-Al₂O₃, SiO₂-ТіO₂ и Al₂O₃-SiO₂-ТіO₂
за авторством: Горбик, П.П., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Горбик, П.П., та інші
Опубліковано: (2006)
Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Получение, структура и свойства гетеронаночастиц SiO2/Au
за авторством: Матвеевская, Н.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Матвеевская, Н.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024)
Interaction of Red Blood Cells with Fumed SiO2, Al2O3/SiO2 and TiO2/SiO2 by Light Scattering Measurements
за авторством: Gerashchenko, I.I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gerashchenko, I.I., та інші
Опубліковано: (2010)
Catalytic activity of SiO₂/Au heteronanoparticles in hydrogen peroxide decomposition reaction
за авторством: Matveevskaya, N.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Matveevskaya, N.A., та інші
Опубліковано: (2005)
An improved contribution to optimize Si and GaAs solar cell performances
за авторством: Merabtine, N., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Merabtine, N., та інші
Опубліковано: (2004)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Electron states at the Si–SiO₂ boundary (Review)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2005)
Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes
за авторством: Belyaev, A.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Belyaev, A.A., та інші
Опубліковано: (1999)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices
за авторством: Ivanov, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Ivanov, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)
Thermal conductivity of argon–SiO₂ cryocrystal nanocomposite
за авторством: Nikonkov, R.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Nikonkov, R.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Molecular dynamics calculation of thermal conductivity in a-SiO2 and an a-SiO2-based nanocomposite
за авторством: V. V. Kuryliuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Kuryliuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Molecular dynamics calculation of thermal conductivity in a-SiO2 and an a-SiO2-based nanocomposite
за авторством: V. V. Kuryliuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Kuryliuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Efficient core-SiO₂/shell-Au nanostructures for surface enhanced Raman scattering
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Water bounding peculiarities in SiO2 / laevomycetin and SiO2 / laevomycetin / AM1 composite systems
за авторством: T. V. Krupskaja, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: T. V. Krupskaja, та інші
Опубліковано: (2018)
Дослідження взаємодії еритроцитів з пірогенними оксидами SiO2, Al2O3/SiO2 та TiO2/SiO2 шляхом вимірювання параметрів світлорозсіювання
за авторством: Gerashchenko, I. I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gerashchenko, I. I., та інші
Опубліковано: (2010)
Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films
за авторством: Plyaka, S.N., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Plyaka, S.N., та інші
Опубліковано: (1999)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2006)