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Paraelectric properties of PbTe doped with Ga

The static dielectric constant was investigated as a function of temperature and carrier concentration in In(Cu)/p-PbTe Schottky contacts. Single crystals of PbTe doped with Ga were used as substrates for preparation of the contacts. The static dielectric constant was found to obey the Curie-Weiss l...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2000
Hauptverfasser:	Tetyorkin, V., Movchan, S.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121179
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Paraelectric properties of PbTe doped with Ga / V. Tetyorkin, S. Movchan // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 300-303. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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