Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2002
• Автори: Baranskyy, P.I., Gaydar, G.P., Litovchenko, P.G.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121238
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance / P.I. Baranskyy, G.P. Gaydar, P.G. Litovchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 231-234. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

The influence of the annealing (at Тanneal. = 1200 °C) and different rates of cooling (from Тanneal. to room temperature) on magnetoresistance and Hall effect of the n-Si:P monocrystals with different specific resistance, which were grown by means of various technologies, have been investigated. It...