Baranskyy, P., Gaydar, G., & Litovchenko, P. (2002). Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Baranskyy, P.I, G.P Gaydar, та P.G Litovchenko. "Influence of the Annealing of Silicon Crystals at 1200 °C on the Hall Effect and Magnetoresistance." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2002.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Baranskyy, P.I, et al. "Influence of the Annealing of Silicon Crystals at 1200 °C on the Hall Effect and Magnetoresistance." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.