Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
The influence of the annealing (at Тanneal. = 1200 °C) and different rates of cooling (from Тanneal. to room temperature) on magnetoresistance and Hall effect of the n-Si:P monocrystals with different specific resistance, which were grown by means of various technologies, have been investigated. It...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121238 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance / P.I. Baranskyy, G.P. Gaydar, P.G. Litovchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 231-234. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Electron-electron drag in crystals with a multi-valley band. Magnetoresistivity and Hall-effect
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999)
Gamma-radiation spectra of 1200MeV electrons in thick beryllium, silicon and tungsten single crystals
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2019)
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)
Hall and magnetoresistance factors in Bi0.88Sb0.12 single crystal doped with Te
за авторством: Kh. A. Gasanova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kh. A. Gasanova, та інші
Опубліковано: (2015)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)
Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)
The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2005)
Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Evolution of magnetic and magnetoresistive properties of sputtered NiFe/Cu/Co/Cu nanostructures under ageing and annealing
за авторством: Roschenko, S.T., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Roschenko, S.T., та інші
Опубліковано: (2009)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)
Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)
The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)
Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley-Read-Hall lifetimes
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Physicochemical regularities of a high-voltage electroporcelain formation with a sintering temperature of 1200 °C
за авторством: Bohdanova, K.B.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bohdanova, K.B.
Опубліковано: (2018)
Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)
The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)
An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)
О времени создания Киевского свода "1200г."
за авторством: Толочко, А.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Толочко, А.
Опубліковано: (2006)
Взаимодействие аустенитных нержавеющих сталей с водяным паром в области температур 350…1200 °C
за авторством: Ищенко, Н.И., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ищенко, Н.И., та інші
Опубліковано: (2016)
Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)
Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2006)
Specific thermoemf and Hall-effect in crystals with monopolar conductivity
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)