Shekhovtsov, L. (2002). On a doped transition layer in the space charge region of Schottky contact. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Shekhovtsov, L.V. "On a Doped Transition Layer in the Space Charge Region of Schottky Contact." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2002.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Shekhovtsov, L.V. "On a Doped Transition Layer in the Space Charge Region of Schottky Contact." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.