Зображення обкладинки

On a doped transition layer in the space charge region of Schottky contact

A technique is proposed for estimation of maximal thickness of a doped semiconductor transition layer in a Schottky contact. It is based on taking spectral curves of transverse photovoltage. It is shown that in gallium arsenide crystal with starting impurity concentration of 10¹⁶ cm-³, a layer with...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2002
Автор:	Shekhovtsov, L.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121338
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	On a doped transition layer in the space charge region of Schottky contact / L.V. Shekhovtsov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 4. — С. 403-405. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Some features of transverse photovoltage in semiconductor heterostructure and Schottky contact
за авторством: Shekhovtsov, L.V.
Опубліковано: (2001)

Schottky contact degradation at thermal annealing
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)

Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)

Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Features studies of transition layers in semiconductor heterosystems
за авторством: L. V. Shekhovtsov, та інші
Опубліковано: (2021)

Point-contact Andreev-reflection spectroscopy of doped manganites: Charge carrier spin-polarization and proximity effects
за авторством: V. N. Krivoruchko, та інші
Опубліковано: (2013)

Theoretical analysis of the efficiency of silicon solar cells with amorphized layers in the space charge region
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2015)

Theoretical analysis of the efficiency of silicon solar cells with amorphized layers in the space charge region
за авторством: A. V. Kozynetz, та інші
Опубліковано: (2015)

Kinetics of changes in charge carrier concentration with doping in lead telluride-based alloys with transition metal impurities
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)

Thermoelastic state of the contacting thermalsensitive half-space and layer
за авторством: O. M. Vovk, та інші
Опубліковано: (2018)

Point-contact Andreev-reflection spectroscopy of doped manganites: Charge carrier spin-polarization and proximity effects (Review Article)
за авторством: Krivoruchko, V.N., та інші
Опубліковано: (2013)

Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)

Diffusion processes in the transition layer of the Earth's magnetosphere
за авторством: Prokhorenkov, A.S., та інші
Опубліковано: (2015)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2014)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n⁺ -n doping step
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Estimation of frequency characteristics of photodiode determined by motion of charge carriers in the space-charge region
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Electrically charged electroded crack with a contact zone in a piezoelectric bimaterial
за авторством: A. Hrynevych, та інші
Опубліковано: (2015)

Antiferromagnet–ferromagnet phase transition in lightly doped manganites
за авторством: Troyanchuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2005)

Bombardment of the surface by a low-energy ion flow accelerated in the near-surface layer of the space charge
за авторством: Hrechkо, Ya., та інші
Опубліковано: (2023)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Thermoelastic state of contacting thermosensitive semi-space and layer under complex heat exchange
за авторством: O. M. Vovk, та інші
Опубліковано: (2020)

Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2009)

Nonlinear Analysis of Millimeter-Wave Schottky Diode Mixers
за авторством: Piddyachiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: Litvinenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)

On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)

Schottky diodes based on the zinc selenide semiconductor crystals
за авторством: Voronkin, E.
Опубліковано: (2013)