Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
An alternative mathematical model of vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals was represented. The analysis of conditions of microvoid nucleation inside the bulk of crystals during cooling after their growth was carried out. The possibility of formation of a quasi-stat...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121641 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals / V.I. Talanin, I.E. Talanin, S.A. Koryagin, M.Yu. Semikina // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 77-81. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |