Talanin, V., Talanin, I., Koryagin, S., & Semikina, M. (2006). Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Talanin, V.I, I.E Talanin, S.A Koryagin, und M.Yu Semikina. Modelling Vacancy Microvoid Formation in Dislocation-free Silicon Single Crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Talanin, V.I, et al. Modelling Vacancy Microvoid Formation in Dislocation-free Silicon Single Crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.