Talanin, V., Talanin, I., Koryagin, S., & Semikina, M. (2006). Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Talanin, V.I, I.E Talanin, S.A Koryagin, та M.Yu Semikina. Modelling Vacancy Microvoid Formation in Dislocation-free Silicon Single Crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Talanin, V.I, et al. Modelling Vacancy Microvoid Formation in Dislocation-free Silicon Single Crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.