Зображення обкладинки

Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals

An alternative mathematical model of vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals was represented. The analysis of conditions of microvoid nucleation inside the bulk of crystals during cooling after their growth was carried out. The possibility of formation of a quasi-stat...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2006
Автори:	Talanin, V.I., Talanin, I.E., Koryagin, S.A., Semikina, M.Yu.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121641
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals / V.I. Talanin, I.E. Talanin, S.A. Koryagin, M.Yu. Semikina // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 77-81. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Nucleation, growth and transformation of microdefects in FZ-Si
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2004)

Mechanisms of microvoid formation within KCl single crystals in the pulse energy release area of laser focused radiation
за авторством: Boyko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Dynamics of Development of Radiation Creep at Generation of Vacancies by Glide Dislocations
за авторством: P. A. Selishchev, та інші
Опубліковано: (2011)

Dynamic damping of dislocations with phonons in Kbr single crystals
за авторством: Petchenko, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Energy of vacancy formation in the continuum matter model
за авторством: Khrapak, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)

The effect of microvoid concentration on electric field distribution in polyethylene insulation
за авторством: I. N. Kucherjavaja
Опубліковано: (2016)

Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)

Dislocation distribution in ruby single crystals under loading at high temperatures
за авторством: Bosin, M.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Enthalpy of formation of impurity-vacancy complexes in crystals A 2B6
за авторством: I. V. Horichok
Опубліковано: (2012)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)

Cluster formations of conducting quantum structures in single-crystal silicon for solar energy
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2009)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal
за авторством: Ismayilova, N.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors
за авторством: I. V. Horichok, та інші
Опубліковано: (2016)

Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors
за авторством: I. V. Horichok, та інші
Опубліковано: (2016)

Energy of vacancy formation in the continuum matter model
за авторством: A. G. Khrapak, та інші
Опубліковано: (2013)

Stability of single-atom iron complexes on graphene double vacancy
за авторством: O. S. Karpenko, та інші
Опубліковано: (2023)

Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

The dislocation unpinning from stoppers in KBr single crystals сaused by elastic stresses and temperature
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Change of dislocations density in single crystals of various types diamonds depending on the growth temperature and rate
за авторством: Suprun, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)

Computer simulation and analytic description of the structural defects in two-dimensional limited in size crystals: free boundary, dislocations, crowdions
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of dislocation hindering during plastic deformation on the photoluminescence of Mn2+ ions in ZnS single crystals
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)

Effect of dislocation hindering during plastic deformation on the photoluminescence of Mn2+ ions in ZnS single crystals
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)

Pressure relaxation and diffusion of vacancies in rapidly grown helium crystals
за авторством: A. P. Birchenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Calculated images of dislocations in crystals on section topograms
за авторством: Novіkov, S.M., та інші
Опубліковано: (2010)

Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Magnetic susceptibility of p-Si(B) single crystals grown in "vacancy" regime at presence of thermodonors created by thermal treatments at 450 °C
за авторством: Babych, V.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Tunnel-thermally activated mechanism of vacancy diffusion in a quantum crystal
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2017)