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Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals

An alternative mathematical model of vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals was represented. The analysis of conditions of microvoid nucleation inside the bulk of crystals during cooling after their growth was carried out. The possibility of formation of a quasi-stat...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2006
Hauptverfasser:	Talanin, V.I., Talanin, I.E., Koryagin, S.A., Semikina, M.Yu.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121641
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals / V.I. Talanin, I.E. Talanin, S.A. Koryagin, M.Yu. Semikina // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 77-81. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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