Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2015
• Автори: Парфеньев, Р.В., Козуб, В.И., Андрианов, Г.О., Шамшур, Д.В., Черняев, А.В., Михайлин, Н.Ю., Немов, С.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
• Теми: XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122032
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In / Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Г.О. Андрианов, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, Н.Ю. Михайлин, С.А. Немов // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 147-152. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Изучено влияние всестороннего сжатия до 10 кбар на сверхпроводящие и электрические характеристики полупроводникового твердого раствора PbzSn₁₋zTe, легированного индием (5 ат.%), в зависимости от содержания свинца. Экспериментально установлены корреляции для исследованных барических зависимостей. Обн...