Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
Изучено влияние всестороннего сжатия до 10 кбар на сверхпроводящие и электрические характеристики полупроводникового твердого раствора PbzSn₁₋zTe, легированного индием (5 ат.%), в зависимости от содержания свинца. Экспериментально установлены корреляции для исследованных барических зависимостей. Обн...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122032 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In / Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Г.О. Андрианов, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, Н.Ю. Михайлин, С.А. Немов // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 147-152. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862627770037698560 |
|---|---|
| author | Парфеньев, Р.В. Козуб, В.И. Андрианов, Г.О. Шамшур, Д.В. Черняев, А.В. Михайлин, Н.Ю. Немов, С.А. |
| author_facet | Парфеньев, Р.В. Козуб, В.И. Андрианов, Г.О. Шамшур, Д.В. Черняев, А.В. Михайлин, Н.Ю. Немов, С.А. |
| citation_txt | Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In / Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Г.О. Андрианов, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, Н.Ю. Михайлин, С.А. Немов // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 147-152. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Изучено влияние всестороннего сжатия до 10 кбар на сверхпроводящие и электрические характеристики полупроводникового твердого раствора PbzSn₁₋zTe, легированного индием (5 ат.%), в зависимости от содержания свинца. Экспериментально установлены корреляции для исследованных барических зависимостей. Обнаружено, что в материале с содержанием свинца z = 0,45 при увеличении давления до Р = = 6,8 кбар происходит пороговое усиление сверхпроводимости до значения Тс = 1,7 К, характерного для состава z = 0,05 при атмосферном давлении. Возрастание гидростатического давления Р > 3 кбар в (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te приводит к понижению Тс ниже 1 К. Указанные особенности, вместе с колоколообразной зависимостью Тс(Р) для состава z = 0,3, объясняются энергетическим смещением полосы квазилокальных состояний ЕIn и уровня Ферми, стабилизированного ими, из L- в Σ-валентную зону с большой плотностью состояний, как это наиболее ярко проявилось для состава z = 0,45. На основании измерений эффекта Холла при Т = 77 К определен концентрационный порог выхода уровня Ферми из Σ-валентной зоны при увеличении содержания свинца
Вивчено вплив усебічного стискування до 10 кбар на надпровідні та електричні характеристики напівпровідникового твердого розчину PbzSn₁₋zTe, легованого індієм (5 ат.%), залежно від змісту свинцю. Експериментально встановлено кореляції для досліджених баричних залежностей. Виявлено, що в матеріалі зі змістом свинцю z = 0,45 при збільшенні тиску до Р = 6,8 кбар відбувається порогове посилення надпровідності до значення Тс = 1,7 К, характерного для складу z = 0,05 при атмосферному тиску. Зростання гідростатичного тиску Р > 3 кбар в (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te призводить до зниження Тс нижче 1 К. Вказані особливості, разом з дзвоноподібною залежністю Тс(Р) для складу z = 0,3, пояснюються енергетичним зміщенням смуги квазілокальних станів ЕIn та рівня Фермі, стабілізованого ними, з L- у Σ-валентну зону з великою щільністю станів, як це найяскравіше проявилося для складу z = 0,45. На підставі вимірів ефекту Холлу при Т = 77 К визначено концентраційний поріг виходу рівня Фермі з Σ-валентної зони при збільшенні змісту свинцю.
The influences of comprehensive compression up to 10 kbar and lead content on superconducting and electrical characteristics of semiconducting solid solutions PbzSn₁₋zTe doped with indium (5 at.%) are studied. Experimental correlations for the pressure dependences under consideration are found out. It is established that at high pressure condition (P = 6.8 kbar) the material with content of lead z = 0.45 displays a threshold increase of superconductivity up to Тс = 1.7 K, which is typical of the z = 0.05 compound at normal pressure. An increase of hydrostatic pressure P > 3 kbar in (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te leads to a decrease of Тс below 1 K. The observed features and the bell-shaped dependence Тс(P) for the z = 0.3 compound are explained by the energy shifting of the band of quasilocal states ЕIn and the state stabilized Fermi energy from the L-valence band into the Σ-valence one with a high density of states as was most noticeable for the z = 0.45 compound. A concentration threshold for the Fermi energy leaving the Σ-valence band with increasing content of lead was determined from the Hall effect data at T = 77 K.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:39:46Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122032 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:39:46Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Парфеньев, Р.В. Козуб, В.И. Андрианов, Г.О. Шамшур, Д.В. Черняев, А.В. Михайлин, Н.Ю. Немов, С.А. 2017-06-26T05:04:51Z 2017-06-26T05:04:51Z 2015 Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In / Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Г.О. Андрианов, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, Н.Ю. Михайлин, С.А. Немов // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 147-152. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.20.Nr, 71.28.+d, 71.30.+h, 71.55.–i, 74.62.Dh, 74.62.Fj https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122032 Изучено влияние всестороннего сжатия до 10 кбар на сверхпроводящие и электрические характеристики полупроводникового твердого раствора PbzSn₁₋zTe, легированного индием (5 ат.%), в зависимости от содержания свинца. Экспериментально установлены корреляции для исследованных барических зависимостей. Обнаружено, что в материале с содержанием свинца z = 0,45 при увеличении давления до Р = = 6,8 кбар происходит пороговое усиление сверхпроводимости до значения Тс = 1,7 К, характерного для состава z = 0,05 при атмосферном давлении. Возрастание гидростатического давления Р > 3 кбар в (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te приводит к понижению Тс ниже 1 К. Указанные особенности, вместе с колоколообразной зависимостью Тс(Р) для состава z = 0,3, объясняются энергетическим смещением полосы квазилокальных состояний ЕIn и уровня Ферми, стабилизированного ими, из L- в Σ-валентную зону с большой плотностью состояний, как это наиболее ярко проявилось для состава z = 0,45. На основании измерений эффекта Холла при Т = 77 К определен концентрационный порог выхода уровня Ферми из Σ-валентной зоны при увеличении содержания свинца Вивчено вплив усебічного стискування до 10 кбар на надпровідні та електричні характеристики напівпровідникового твердого розчину PbzSn₁₋zTe, легованого індієм (5 ат.%), залежно від змісту свинцю. Експериментально встановлено кореляції для досліджених баричних залежностей. Виявлено, що в матеріалі зі змістом свинцю z = 0,45 при збільшенні тиску до Р = 6,8 кбар відбувається порогове посилення надпровідності до значення Тс = 1,7 К, характерного для складу z = 0,05 при атмосферному тиску. Зростання гідростатичного тиску Р > 3 кбар в (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te призводить до зниження Тс нижче 1 К. Вказані особливості, разом з дзвоноподібною залежністю Тс(Р) для складу z = 0,3, пояснюються енергетичним зміщенням смуги квазілокальних станів ЕIn та рівня Фермі, стабілізованого ними, з L- у Σ-валентну зону з великою щільністю станів, як це найяскравіше проявилося для складу z = 0,45. На підставі вимірів ефекту Холлу при Т = 77 К визначено концентраційний поріг виходу рівня Фермі з Σ-валентної зони при збільшенні змісту свинцю. The influences of comprehensive compression up to 10 kbar and lead content on superconducting and electrical characteristics of semiconducting solid solutions PbzSn₁₋zTe doped with indium (5 at.%) are studied. Experimental correlations for the pressure dependences under consideration are found out. It is established that at high pressure condition (P = 6.8 kbar) the material with content of lead z = 0.45 displays a threshold increase of superconductivity up to Тс = 1.7 K, which is typical of the z = 0.05 compound at normal pressure. An increase of hydrostatic pressure P > 3 kbar in (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te leads to a decrease of Тс below 1 K. The observed features and the bell-shaped dependence Тс(P) for the z = 0.3 compound are explained by the energy shifting of the band of quasilocal states ЕIn and the state stabilized Fermi energy from the L-valence band into the Σ-valence one with a high density of states as was most noticeable for the z = 0.45 compound. A concentration threshold for the Fermi energy leaving the Σ-valence band with increasing content of lead was determined from the Hall effect data at T = 77 K. Работа выполнена при поддержке грантов Президиума РАН и РФФИ 13-02-00556. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In The high-pressure effect on superconducting transition parameters of In-doped PbzSn₁₋zTe semiconducting solid solutions Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In Парфеньев, Р.В. Козуб, В.И. Андрианов, Г.О. Шамшур, Д.В. Черняев, А.В. Михайлин, Н.Ю. Немов, С.А. XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title | Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In |
| title_alt | The high-pressure effect on superconducting transition parameters of In-doped PbzSn₁₋zTe semiconducting solid solutions |
| title_full | Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In |
| title_fullStr | Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In |
| title_full_unstemmed | Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In |
| title_short | Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In |
| title_sort | влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах pbzsn₁₋zte, легированных in |
| topic | XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet | XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122032 |
| work_keys_str_mv | AT parfenʹevrv vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin AT kozubvi vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin AT andrianovgo vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin AT šamšurdv vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin AT černâevav vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin AT mihailinnû vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin AT nemovsa vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin AT parfenʹevrv thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions AT kozubvi thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions AT andrianovgo thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions AT šamšurdv thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions AT černâevav thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions AT mihailinnû thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions AT nemovsa thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions |