Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In

Изучено влияние всестороннего сжатия до 10 кбар на сверхпроводящие и электрические характеристики полупроводникового твердого раствора PbzSn₁₋zTe, легированного индием (5 ат.%), в зависимости от содержания свинца. Экспериментально установлены корреляции для исследованных барических зависимостей. Обн...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2015
Автори: Парфеньев, Р.В., Козуб, В.И., Андрианов, Г.О., Шамшур, Д.В., Черняев, А.В., Михайлин, Н.Ю., Немов, С.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122032
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In / Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Г.О. Андрианов, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, Н.Ю. Михайлин, С.А. Немов // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 147-152. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122032
record_format dspace
spelling Парфеньев, Р.В.
Козуб, В.И.
Андрианов, Г.О.
Шамшур, Д.В.
Черняев, А.В.
Михайлин, Н.Ю.
Немов, С.А.
2017-06-26T05:04:51Z
2017-06-26T05:04:51Z
2015
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In / Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Г.О. Андрианов, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, Н.Ю. Михайлин, С.А. Немов // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 147-152. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 71.20.Nr, 71.28.+d, 71.30.+h, 71.55.–i, 74.62.Dh, 74.62.Fj
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122032
Изучено влияние всестороннего сжатия до 10 кбар на сверхпроводящие и электрические характеристики полупроводникового твердого раствора PbzSn₁₋zTe, легированного индием (5 ат.%), в зависимости от содержания свинца. Экспериментально установлены корреляции для исследованных барических зависимостей. Обнаружено, что в материале с содержанием свинца z = 0,45 при увеличении давления до Р = = 6,8 кбар происходит пороговое усиление сверхпроводимости до значения Тс = 1,7 К, характерного для состава z = 0,05 при атмосферном давлении. Возрастание гидростатического давления Р > 3 кбар в (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te приводит к понижению Тс ниже 1 К. Указанные особенности, вместе с колоколообразной зависимостью Тс(Р) для состава z = 0,3, объясняются энергетическим смещением полосы квазилокальных состояний ЕIn и уровня Ферми, стабилизированного ими, из L- в Σ-валентную зону с большой плотностью состояний, как это наиболее ярко проявилось для состава z = 0,45. На основании измерений эффекта Холла при Т = 77 К определен концентрационный порог выхода уровня Ферми из Σ-валентной зоны при увеличении содержания свинца
Вивчено вплив усебічного стискування до 10 кбар на надпровідні та електричні характеристики напівпровідникового твердого розчину PbzSn₁₋zTe, легованого індієм (5 ат.%), залежно від змісту свинцю. Експериментально встановлено кореляції для досліджених баричних залежностей. Виявлено, що в матеріалі зі змістом свинцю z = 0,45 при збільшенні тиску до Р = 6,8 кбар відбувається порогове посилення надпровідності до значення Тс = 1,7 К, характерного для складу z = 0,05 при атмосферному тиску. Зростання гідростатичного тиску Р > 3 кбар в (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te призводить до зниження Тс нижче 1 К. Вказані особливості, разом з дзвоноподібною залежністю Тс(Р) для складу z = 0,3, пояснюються енергетичним зміщенням смуги квазілокальних станів ЕIn та рівня Фермі, стабілізованого ними, з L- у Σ-валентну зону з великою щільністю станів, як це найяскравіше проявилося для складу z = 0,45. На підставі вимірів ефекту Холлу при Т = 77 К визначено концентраційний поріг виходу рівня Фермі з Σ-валентної зони при збільшенні змісту свинцю.
The influences of comprehensive compression up to 10 kbar and lead content on superconducting and electrical characteristics of semiconducting solid solutions PbzSn₁₋zTe doped with indium (5 at.%) are studied. Experimental correlations for the pressure dependences under consideration are found out. It is established that at high pressure condition (P = 6.8 kbar) the material with content of lead z = 0.45 displays a threshold increase of superconductivity up to Тс = 1.7 K, which is typical of the z = 0.05 compound at normal pressure. An increase of hydrostatic pressure P > 3 kbar in (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te leads to a decrease of Тс below 1 K. The observed features and the bell-shaped dependence Тс(P) for the z = 0.3 compound are explained by the energy shifting of the band of quasilocal states ЕIn and the state stabilized Fermi energy from the L-valence band into the Σ-valence one with a high density of states as was most noticeable for the z = 0.45 compound. A concentration threshold for the Fermi energy leaving the Σ-valence band with increasing content of lead was determined from the Hall effect data at T = 77 K.
Работа выполнена при поддержке грантов Президиума РАН и РФФИ 13-02-00556.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
The high-pressure effect on superconducting transition parameters of In-doped PbzSn₁₋zTe semiconducting solid solutions
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
spellingShingle Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
Парфеньев, Р.В.
Козуб, В.И.
Андрианов, Г.О.
Шамшур, Д.В.
Черняев, А.В.
Михайлин, Н.Ю.
Немов, С.А.
XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
title_short Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
title_full Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
title_fullStr Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
title_full_unstemmed Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
title_sort влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах pbzsn₁₋zte, легированных in
author Парфеньев, Р.В.
Козуб, В.И.
Андрианов, Г.О.
Шамшур, Д.В.
Черняев, А.В.
Михайлин, Н.Ю.
Немов, С.А.
author_facet Парфеньев, Р.В.
Козуб, В.И.
Андрианов, Г.О.
Шамшур, Д.В.
Черняев, А.В.
Михайлин, Н.Ю.
Немов, С.А.
topic XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
topic_facet XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
publishDate 2015
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt The high-pressure effect on superconducting transition parameters of In-doped PbzSn₁₋zTe semiconducting solid solutions
description Изучено влияние всестороннего сжатия до 10 кбар на сверхпроводящие и электрические характеристики полупроводникового твердого раствора PbzSn₁₋zTe, легированного индием (5 ат.%), в зависимости от содержания свинца. Экспериментально установлены корреляции для исследованных барических зависимостей. Обнаружено, что в материале с содержанием свинца z = 0,45 при увеличении давления до Р = = 6,8 кбар происходит пороговое усиление сверхпроводимости до значения Тс = 1,7 К, характерного для состава z = 0,05 при атмосферном давлении. Возрастание гидростатического давления Р > 3 кбар в (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te приводит к понижению Тс ниже 1 К. Указанные особенности, вместе с колоколообразной зависимостью Тс(Р) для состава z = 0,3, объясняются энергетическим смещением полосы квазилокальных состояний ЕIn и уровня Ферми, стабилизированного ими, из L- в Σ-валентную зону с большой плотностью состояний, как это наиболее ярко проявилось для состава z = 0,45. На основании измерений эффекта Холла при Т = 77 К определен концентрационный порог выхода уровня Ферми из Σ-валентной зоны при увеличении содержания свинца Вивчено вплив усебічного стискування до 10 кбар на надпровідні та електричні характеристики напівпровідникового твердого розчину PbzSn₁₋zTe, легованого індієм (5 ат.%), залежно від змісту свинцю. Експериментально встановлено кореляції для досліджених баричних залежностей. Виявлено, що в матеріалі зі змістом свинцю z = 0,45 при збільшенні тиску до Р = 6,8 кбар відбувається порогове посилення надпровідності до значення Тс = 1,7 К, характерного для складу z = 0,05 при атмосферному тиску. Зростання гідростатичного тиску Р > 3 кбар в (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te призводить до зниження Тс нижче 1 К. Вказані особливості, разом з дзвоноподібною залежністю Тс(Р) для складу z = 0,3, пояснюються енергетичним зміщенням смуги квазілокальних станів ЕIn та рівня Фермі, стабілізованого ними, з L- у Σ-валентну зону з великою щільністю станів, як це найяскравіше проявилося для складу z = 0,45. На підставі вимірів ефекту Холлу при Т = 77 К визначено концентраційний поріг виходу рівня Фермі з Σ-валентної зони при збільшенні змісту свинцю. The influences of comprehensive compression up to 10 kbar and lead content on superconducting and electrical characteristics of semiconducting solid solutions PbzSn₁₋zTe doped with indium (5 at.%) are studied. Experimental correlations for the pressure dependences under consideration are found out. It is established that at high pressure condition (P = 6.8 kbar) the material with content of lead z = 0.45 displays a threshold increase of superconductivity up to Тс = 1.7 K, which is typical of the z = 0.05 compound at normal pressure. An increase of hydrostatic pressure P > 3 kbar in (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te leads to a decrease of Тс below 1 K. The observed features and the bell-shaped dependence Тс(P) for the z = 0.3 compound are explained by the energy shifting of the band of quasilocal states ЕIn and the state stabilized Fermi energy from the L-valence band into the Σ-valence one with a high density of states as was most noticeable for the z = 0.45 compound. A concentration threshold for the Fermi energy leaving the Σ-valence band with increasing content of lead was determined from the Hall effect data at T = 77 K.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122032
citation_txt Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In / Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Г.О. Андрианов, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, Н.Ю. Михайлин, С.А. Немов // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 147-152. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT parfenʹevrv vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin
AT kozubvi vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin
AT andrianovgo vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin
AT šamšurdv vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin
AT černâevav vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin
AT mihailinnû vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin
AT nemovsa vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin
AT parfenʹevrv thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions
AT kozubvi thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions
AT andrianovgo thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions
AT šamšurdv thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions
AT černâevav thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions
AT mihailinnû thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions
AT nemovsa thehighpressureeffectonsuperconductingtransitionparametersofindopedpbzsn1ztesemiconductingsolidsolutions
first_indexed 2025-12-07T13:39:46Z
last_indexed 2025-12-07T13:39:46Z
_version_ 1850857002069131264