Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна

Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Радиофизика и радиоастрономия
Date:2004
Main Authors: Аркуша, Ю.В., Прохоров, Э.Д., Стороженко, И.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Радіоастрономічний інститут НАН України 2004
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122553
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine