Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна

• Veröffentlicht in: Радиофизика и радиоастрономия
• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Аркуша, Ю.В., Прохоров, Э.Д., Стороженко, И.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Радіоастрономічний інститут НАН України 2004
• Schlagworte: Физические основы электронных приборов
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122553
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при которых эффективность генерации максимальна. The frequency dependence of the generation efficiency of an m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs TED with the 2.5-mm long active region is calculated. The optimum values – which yield the diode maximum generation efficiency – for the n:InxGa1-xAs cathode length, the cathode concentration of ionized impurities, and the height of the potential barrier on metal contact are determined.