Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при...
Saved in:
| Published in: | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122553 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при которых эффективность генерации максимальна.
The frequency dependence of the generation efficiency of an m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs TED with the 2.5-mm long active region is calculated. The optimum values – which yield the diode maximum generation efficiency – for the n:InxGa1-xAs cathode length, the cathode concentration of ionized impurities, and the height of the potential barrier on metal contact are determined.
|
|---|---|
| ISSN: | 1027-9636 |