Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна

Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Радиофизика и радиоастрономия
Datum:2004
Hauptverfasser: Аркуша, Ю.В., Прохоров, Э.Д., Стороженко, И.П.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Радіоастрономічний інститут НАН України 2004
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122553
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862736717454245888
author Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
author_facet Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
citation_txt Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Радиофизика и радиоастрономия
description Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при которых эффективность генерации максимальна. The frequency dependence of the generation efficiency of an m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs TED with the 2.5-mm long active region is calculated. The optimum values – which yield the diode maximum generation efficiency – for the n:InxGa1-xAs cathode length, the cathode concentration of ionized impurities, and the height of the potential barrier on metal contact are determined.
first_indexed 2025-12-07T19:55:08Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122553
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1027-9636
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:55:08Z
publishDate 2004
publisher Радіоастрономічний інститут НАН України
record_format dspace
spelling Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
2017-07-14T12:18:57Z
2017-07-14T12:18:57Z
2004
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
1027-9636
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122553
621.382.2
Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при которых эффективность генерации максимальна.
The frequency dependence of the generation efficiency of an m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs TED with the 2.5-mm long active region is calculated. The optimum values – which yield the diode maximum generation efficiency – for the n:InxGa1-xAs cathode length, the cathode concentration of ionized impurities, and the height of the potential barrier on metal contact are determined.
ru
Радіоастрономічний інститут НАН України
Радиофизика и радиоастрономия
Физические основы электронных приборов
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
Article
published earlier
spellingShingle Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
Физические основы электронных приборов
title Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_alt Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
title_full Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_fullStr Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_full_unstemmed Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_short Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_sort влияние металлического контакта к запорному inxga1-xas-gaas-гетерокатоду на работу gaas-диодов ганна
topic Физические основы электронных приборов
topic_facet Физические основы электронных приборов
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122553
work_keys_str_mv AT arkušaûv vliâniemetalličeskogokontaktakzapornomuinxga1xasgaasgeterokatodunarabotugaasdiodovganna
AT prohorovéd vliâniemetalličeskogokontaktakzapornomuinxga1xasgaasgeterokatodunarabotugaasdiodovganna
AT storoženkoip vliâniemetalličeskogokontaktakzapornomuinxga1xasgaasgeterokatodunarabotugaasdiodovganna
AT arkušaûv effectofaninxga1xasgaasblockingheterocathodemetalcontactonthegaastedoperation
AT prohorovéd effectofaninxga1xasgaasblockingheterocathodemetalcontactonthegaastedoperation
AT storoženkoip effectofaninxga1xasgaasblockingheterocathodemetalcontactonthegaastedoperation