Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна

Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Радиофизика и радиоастрономия
Дата:2004
Автори: Аркуша, Ю.В., Прохоров, Э.Д., Стороженко, И.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Радіоастрономічний інститут НАН України 2004
Теми:
Физические основы электронных приборов
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122553
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122553
record_format dspace
spelling Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
2017-07-14T12:18:57Z
2017-07-14T12:18:57Z
2004
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
1027-9636
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122553
621.382.2
Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при которых эффективность генерации максимальна.
The frequency dependence of the generation efficiency of an m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs TED with the 2.5-mm long active region is calculated. The optimum values – which yield the diode maximum generation efficiency – for the n:InxGa1-xAs cathode length, the cathode concentration of ionized impurities, and the height of the potential barrier on metal contact are determined.
ru
Радіоастрономічний інститут НАН України
Радиофизика и радиоастрономия
Физические основы электронных приборов
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
spellingShingle Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
Физические основы электронных приборов
title_short Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_full Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_fullStr Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_full_unstemmed Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_sort влияние металлического контакта к запорному inxga1-xas-gaas-гетерокатоду на работу gaas-диодов ганна
author Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
author_facet Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
topic Физические основы электронных приборов
topic_facet Физические основы электронных приборов
publishDate 2004
language Russian
container_title Радиофизика и радиоастрономия
publisher Радіоастрономічний інститут НАН України
format Article
title_alt Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
description Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при которых эффективность генерации максимальна. The frequency dependence of the generation efficiency of an m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs TED with the 2.5-mm long active region is calculated. The optimum values – which yield the diode maximum generation efficiency – for the n:InxGa1-xAs cathode length, the cathode concentration of ionized impurities, and the height of the potential barrier on metal contact are determined.
issn 1027-9636
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122553
citation_txt Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT arkušaûv vliâniemetalličeskogokontaktakzapornomuinxga1xasgaasgeterokatodunarabotugaasdiodovganna
AT prohorovéd vliâniemetalličeskogokontaktakzapornomuinxga1xasgaasgeterokatodunarabotugaasdiodovganna
AT storoženkoip vliâniemetalličeskogokontaktakzapornomuinxga1xasgaasgeterokatodunarabotugaasdiodovganna
AT arkušaûv effectofaninxga1xasgaasblockingheterocathodemetalcontactonthegaastedoperation
AT prohorovéd effectofaninxga1xasgaasblockingheterocathodemetalcontactonthegaastedoperation
AT storoženkoip effectofaninxga1xasgaasblockingheterocathodemetalcontactonthegaastedoperation
first_indexed 2025-12-07T19:55:08Z
last_indexed 2025-12-07T19:55:08Z
_version_ 1850880618904158208

Схожі ресурси