Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току
Предложены технические решения, обеспечивающие низкий уровень темновых токов и высокую надежность кремниевых p—i—n-фотодиодов. The engineering decision which provides low level of durk currents and high reliability of silicon p-i-n-photocells have been proposed....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122685 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току / А.А. Ащеулов, В.Н. Годованюк, Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, И.С. Романюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |