Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току
Предложены технические решения, обеспечивающие низкий уровень темновых токов и высокую надежность кремниевых p—i—n-фотодиодов. The engineering decision which provides low level of durk currents and high reliability of silicon p-i-n-photocells have been proposed....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122685 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току / А.А. Ащеулов, В.Н. Годованюк, Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, И.С. Романюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862663381390983168 |
|---|---|
| author | Ащеулов, А.А. Годованюк, В.Н. Добровольский, Ю.Г. Рюхтин, В.В. Романюк, И.С. |
| author_facet | Ащеулов, А.А. Годованюк, В.Н. Добровольский, Ю.Г. Рюхтин, В.В. Романюк, И.С. |
| citation_txt | Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току / А.А. Ащеулов, В.Н. Годованюк, Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, И.С. Романюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Предложены технические решения, обеспечивающие низкий уровень темновых токов и высокую надежность кремниевых p—i—n-фотодиодов.
The engineering decision which provides low level of durk currents and high reliability of silicon p-i-n-photocells have been proposed.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:11:46Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122685 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:11:46Z |
| publishDate | 1999 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ащеулов, А.А. Годованюк, В.Н. Добровольский, Ю.Г. Рюхтин, В.В. Романюк, И.С. 2017-07-17T14:43:32Z 2017-07-17T14:43:32Z 1999 Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току / А.А. Ащеулов, В.Н. Годованюк, Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, И.С. Романюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122685 Предложены технические решения, обеспечивающие низкий уровень темновых токов и высокую надежность кремниевых p—i—n-фотодиодов. The engineering decision which provides low level of durk currents and high reliability of silicon p-i-n-photocells have been proposed. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Компоненты для электронной аппаратуры Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току Article published earlier |
| spellingShingle | Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току Ащеулов, А.А. Годованюк, В.Н. Добровольский, Ю.Г. Рюхтин, В.В. Романюк, И.С. Компоненты для электронной аппаратуры |
| title | Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току |
| title_full | Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току |
| title_fullStr | Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току |
| title_full_unstemmed | Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току |
| title_short | Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току |
| title_sort | оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току |
| topic | Компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet | Компоненты для электронной аппаратуры |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122685 |
| work_keys_str_mv | AT aŝeulovaa optimizaciânadežnostikremnievyhpinfotodiodovpotemnovomutoku AT godovanûkvn optimizaciânadežnostikremnievyhpinfotodiodovpotemnovomutoku AT dobrovolʹskiiûg optimizaciânadežnostikremnievyhpinfotodiodovpotemnovomutoku AT rûhtinvv optimizaciânadežnostikremnievyhpinfotodiodovpotemnovomutoku AT romanûkis optimizaciânadežnostikremnievyhpinfotodiodovpotemnovomutoku |