Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 1999
• Автори: Ащеулов, А.А., Годованюк, В.Н., Добровольский, Ю.Г., Рюхтин, В.В., Романюк, И.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
• Теми: Компоненты для электронной аппаратуры
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122685
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току / А.А. Ащеулов, В.Н. Годованюк, Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, И.С. Романюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Предложены технические решения, обеспечивающие низкий уровень темновых токов и высокую надежность кремниевых p—i—n-фотодиодов. The engineering decision which provides low level of durk currents and high reliability of silicon p-i-n-photocells have been proposed....